전력 전자제품은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), GaN HEMT와 같은 반도체에 크게 의존한다. 그동안 Si가 일반적으로 사용됐으나, SiC 디바이스가 뛰어난 성능과 신뢰성으로 점점 더 인기를 얻고 있다. Si에 비해 많은 기술적 이점이 있는 SiC는 전기차(EV), 데이터센터, 그리고 DC 고속 충전, 에너지 저장, 태양광 인버터와 같은 에너지 인프라 등 많은 애플리케이션에서 새로운 기술로 각광받고 있다.

파워큐브세미는 전기 화재의 원인인 전기 아크 발생 현상을 실시간으로 감지하고 전기 설비를 사전 차단할 수 있는 산화갈륨 기반의 아크 감지 센서 개발을 완료하고 사업화를 진행 중이다. 2013년 2월에 설립된 파워큐브세미는 업력 13년차의 전력반도체 전문기업으로, Si(실리콘), SiC(탄화규소), Ga2O3(산화갈륨) 3개 물성에 대한 소자를 자체 설계할 수 있는 독보적인 기술력을 보유하고 있다.

온세미는 샤오미(Xiaomi) YU7 전기 SUV 모델에 온세미의 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC) M3e 기술로 구동되는 첨단 800V 구동 플랫폼이 탑재됐다고 발표했다. EliteSiC M3e 플랫폼은 우수한 성능과 효율성을 갖추고 있어, 자동차 제조업체가 전기차(EV) 트랙션 시스템을 더 작고, 가볍고, 견고하게 설계할 수 있도록 지원한다.

온세미는 글로벌 모션 테크놀로지 기업인 셰플러(Schaeffler)와의 협력을 확대한다고 발표했다. 이번 협력 확대는 온세미의 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군인 엘리트 실리콘 카바이드(EliteSiC)를 활용하는 새로운 디자인 윈(design win)을 기반으로 한다.

온세미는 스토니브룩대학교(Stony Brook University)와 함께 800만 달러를 투자해 와이드 밴드갭 연구 센터를 설립한다고 발표했다. 이를 통해 온세미는 전력 반도체를 혁신적으로 발전시키고 이 분야의 차세대 전문 인력을 양성할 계획이다.

아이디얼세미컨덕터는 독자 아키텍처 ‘SuperQ’를 기반으로 150V·200V MOSFET 양산에 돌입했다. 비용과 손실을 모두 낮춘 기술로, SiC·GaN을 대체할 새로운 선택지를 제시한다.

마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표 한병돈)는 전력 관리 및 스마트 친환경 솔루션 분야의 글로벌 기업 델타 일렉트로닉스(Delta Electronics, 이하 델타)와 파트너십 협약을 체결했다고 발표했다. 이번 협약은 양사간의 시너지 효과로 더욱 지속적인 발전이 가능한 미래를 앞당기기 위해 체결한 것으로, ...

넥스페리아(Nexperia)가 지속적으로 확장되고 있는 전력 전자 부품 포트폴리오에 2개의 1200V 20A 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드를 추가했다고 발표했다.?PSC20120J 및 PSC20120L은 산업용 기기 분야에서 고효율 에너지 변환을 가능하게 하는 초저전력 손실 정류기에 대한 수요를 해결하도록 설계되었다.

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 확장 가능한 300mm 웨이퍼 기반의 GaN(갈륨 나이트라이드) 생산이 순조롭게 진행되고 있다고 밝혔다. 2025년 4분기에 고객들에게 첫 샘플을 제공하면서 인피니언은 고객 기반을 확대하고 선도적인 GaN 기업으로서의 입지를 강화할 것이다.

로옴(ROHM) 주식회사 의 제4세대 SiC MOSFET 베어칩을 탑재한 파워 모듈이, 토요타 자동차 주식회사(이하, 토요타)의 중국 시장용 신형 크로스오버 BEV? (bZ5)의 트랙션 인버터에 채용되었다.