산업, 자동차, 통신 인프라, 컨슈머, AI 데이터센터 시장 위한 작고 효율적인 GaN 솔루션 제공
온세미와 이노사이언스(Innoscience)는 40~200V 제품을 시작으로 질화갈륨(GaN) 전력 디바이스의 도입을 가속화하고 고객 채택을 확대할 수 있는 기회를 모색하기 위해 양해각서(MoU)를 체결했다.
이번 MoU에 따른 협업을 통해 온세미의 통합 시스템 및 패키징 분야 리더십과 이노사이언스의 검증된 GaN 기술 및 대량생산 역량을 결합함으로써 산업, 자동차, 통신 인프라, 컨슈머, AI 데이터센터 시장을 위한 비용 효율적이고 고효율의 GaN 제품 공급이 가능해질 전망이다.
GaN 반도체 디바이스는 빠른 스위칭 속도, 작은 폼팩터, 낮은 에너지 손실을 제공해 더 작은 공간에서 더 많은 전력을 공급한다. 그러나 제한적인 제품 공급과 제조 역량으로 인해 저전압, 중전압 부문에서 GaN 도입이 지연돼 왔다. 이번 협력으로 온세미와 이노사이언스는 이러한 문제를 해결하고, 주요 시장에 최적화된 GaN 솔루션을 대량으로 빠르게 전 세계에 공급할 계획이다.
온세미의 앙투안 잘라베르(Antoine Jalabert) 기업 전략 부사장은 “모든 분야에서 전력 수요가 증가함에 따라 GaN은 다른 소재에 비해 더 높은 효율과 작은 크기, 낮은 에너지 손실을 제공한다"며 "이번 이노사이언스와의 협력을 통해 업계 최대 규모의 GaN 생산 기반을 확보하고 전 세계 고객을 위한 GaN 제품 포트폴리오를 신속하게 확장해 주요 전력 애플리케이션에서 더 넓게 도입될 수 있도록 지원할 것”이라고 말했다.
이노사이언스의 이 순(Yi Sun) 제품 및 엔지니어링 부문 수석 부사장은 "이노사이언스는 전 세계적으로 GaN 전력 솔루션의 도입을 확대하기 위해 온세미와 전략적 협력 기회를 모색하게 돼 기쁘다"면서 "온세미의 폭넓은 포트폴리오를 활용해 시스템 통합 플랫폼을 구축할 수 있기를 기대한다”고 말했다.
GaN은 2030년까지 글로벌 전력 반도체 시장에서 약 11%를 차지하며 29억 달러 규모로 성장할 것으로 전망된다. 연평균 복합 성장률(CAGR)은 2024년부터 2030년까지 42%에 달할 전망이다.
<저작권자(c)스마트앤컴퍼니. 무단전재-재배포금지>
