[2023 Best Product] 로옴 "강점인 파워, 아날로그 활용하여 더 많은 고객에게 가치 있는 솔루션 제공"
  • 2023-12-07
  • 신윤오 기자, yoshin@elec4.co.kr

고부가가치화 및 장기 안정 공급 프로그램 제공

“로옴은 종합 반도체 메이커로서 SiC 및 GaN과 같은 최신 파워 디바이스와 더불어, 파워 디바이스의 성능을 최대화시키는 제어 IC 및 전원 IC와 조합한 토탈 솔루션을 제공할 수 있다. 또한, 기존의 실리콘 디바이스에 있어서도 고부가가치화 및 장기 안정 공급 프로그램을 전개하고 있다. 로옴은 강점인 「파워」 「아날로그」 기술을 활용하여, 더 많은 고객에게 가치 있는 솔루션을 제공함으로써, 사회 과제 해결에 기여해 나가고자 한다.”

신동필 대표이사, 로옴 세미컨덕터 코리아

 

로옴(ROHM) 주식회사는 최근 말레이시아의 제조 자회사인 ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd(이하, RWEM)에 건설한 신규 생산동이 완성되어, 준공식을 실시했다

RWEM은 지금까지 다이오드, LED 등 소신호 디바이스를 중심으로 생산해왔지만, 신규 생산동에서는 아날로그 IC의 주력 상품 중 하나인 절연 게이트 드라이버를 생산할 예정이다. RWEM은 2024년 1월에 사명을 「ROHM Electronics(Malaysia) Sdn. Bhd.」로 변경한다.

이번에 생산 능력 강화를 도모함과 동시에 BCM(사업 계속 매니지먼트)의 관점에서 아날로그 IC 생산 공장의 다거점화를 추진하기 위해 RWEM에서 처음으로 IC의 생산을 개시한다.

신규 생산동은 다양한 에너지 절약 기술을 활용한 설비를 도입하여, 환경 부하 경감(기존 대비 CO₂ 약 15% 삭감 전망)에 집중한다.이와 동시에, 최신의 각종 재해 대책을 도입함으로써 BCM 체제를 한층 더 강화해 나갈 계획이다. 향후 제조 장치를 도입하고 2024년 10월부터 가동 예정으로, RWEM 전체의 생산 능력은 최종적으로 약 1.5배가 될 것으로 전망하고 있다.
 

한편, 로옴(ROHM) 주식회사는 콘티넨탈 AG(이하, 콘티넨탈)로부터 「2022 Supplier of the Year」를 수상했다. 콘티넨탈은 2008년부터 고객 만족도 및 품질, 공급, 인게이지먼트, 조달 상황의 모든 부문에서 서플라이어의 기여도를 평가하기 위해, 매년 폭넓은 분석을 실시하고 있다. 이에 앞서 로옴(ROHM) 주식회사는 최신 드라이브 기술 및 전동화 솔루션의 국제적 기업인 Vitesco Technologies(이하, Vitesco)로부터 「2022 Supplier of the Year」의 ‘Partnering’ 부문을 수상했다.

ROHM Semiconductor GmbH의 사장 Wolfram Harnack은 “이번상을 수상하게 되어 매우 영광으로 생각합니다. 이번 수상은 우수한 품질, 첨단 제품의 안정 공급, 그리고 우수한 신뢰성의 높은 서비스 제공 등, 고객의 비즈니스 목표 달성을 위한 로옴의 지속적인 서포트 활동이 인정을 받은 결과라고 생각합니다”라고 말했다.


 2023 Best Product 

1. 소형화와 고성능화 모두 잡은 실리콘 캐패시터
면실장 타입의 양산품, 「BTD1RVFL 시리즈」

로옴(ROHM) 주식회사는 스마트폰 및 웨어러블 기기 등에 채용이 가속화되는 실리콘 캐패시터를 새롭게 개발했다. 지금까지 축적해온 실리콘 반도체 가공 기술을 활용하여 제품 사이즈의 소형화와 고성능화를 동시에 실현했다.
 

 
로옴의 실리콘 캐패시터는 1μm 단위의 가공이 가능한 독자적인 미세화 기술 RASMID™ 공법으로 외관 형성 시의 결함(크랙, 깨짐 등)을 배제하여, 치수 공차 ±10μm 이내의 고정밀도화를 실현했다. 제품 사이즈의 편차가 적어, 부품의 인접 거리를 좁힌 고밀도 실장이 가능하고, 기판과의 접합에 사용하는 이면 전극을 패키지 엣지 부분까지 확대함으로써 실장 강도를 향상시켰다.

첫번째 제품인 「BTD1RVFL 시리즈」는 면실장 타입의 양산품 실리콘 캐패시터로는 업계 최소인 0402(0.4mm×0.2mm) 사이즈를 실 현했다. 일반품 0603 사이즈 대비 실장 면적은 약 55% 줄어든 0.08mm2로, 어플리케이션의 소형화에 기여한다. 또한, TVS 보호 소자를 내장하여 높은 ESD 내성을 확보함으로써, 서지 대책 등 회로 설계 공수를 삭감할 수 있다.


2. 650V 내압 GaN HEMT 「GNP1070TC-Z」,「GNP1150TCA-Z」
업계 최고 수준의 디바이스 성능을 실현

로옴(ROHM) 주식회사는 서버 및 AC 어댑터 등 폭넓은 전원 시스템에 최적인 650V 내압 GaN(갈륨 나이트라이드/질화 갈륨) HEMT 「GNP1070TC-Z」, 「GNP1150TCA-Z」의 양산을 개시했다.

신제품은 Delta Electronics, Inc.(델타 전자)의 관계 회사로서 GaN 디바이스의 개발 등을 실시하는 Ancora Semiconductors Inc.(Ancora)와 공동으로 개발, 650V GaN HEMT의 디바이스 성능 지수 (RDS(ON)×Ciss/RDS(ON)×Coss)에서 업계 최고 수준을 실현했다.
 

 
이에 따라 스위칭 손실을 크게 삭감할 수 있어, 전원 시스템의 고효율화가 가능해진다. 또한, ESD 보호 소자를 내장함으로써 정전 파괴 내량이 3.5kV까지 향상되어, 애플리케이션의 고신뢰화에 기여한다. 그리고, GaN HEMT의 특징을 활용한 고속 스위칭 동작으로 주변 부품의 소형화에도 기여한다.

로옴은 애플리케이션의 저전력 및 소형화에 기여하는 GaN 디바이스를 「EcoGaN™ 시리즈」로 라인업하여, 디바이스 성능을 한층 더 향상시키기 위해 노력하고 있다. 또한, 디바이스 개발과 더불어, 전략적 파트너십 체결 및 공동 개발을 추진하여 애플리케이션의 고효율화 및 소형화를 실현함으로써 사회적 과제 해결에 기여하고 있다.

 
 2024 Focus Product 
 
1. GaN 성능 최대화시키는 초고속 게이트 드라이버 IC
LiDAR, 데이터 센터 등의 소형화 및 저전력화에 기여

로옴(ROHM) 주식회사는 초고속으로 GaN 디바이스를 구동하는 게이트 드라이버 IC 「BD2311NVX-LB」를 개발했다.

신제품은 나노초(ns)의 게이트 구동 속도를 실현하여, GaN 디바이스를 고속으로 스위칭시킬 수 있다. 이러한 특성은 GaN 디바이스에 대한 충분한 이해를 바탕으로 게이트 드라이버 IC의 성능 향상을 추구함으로써 실현할 수 있었다. 최소 게이트 입력 펄스 폭 1.25ns의 고속 스위칭을 통해 애플리케이션의 소형화, 저전력화, 고성능화에 기여한다.
 

 

또한, 독자적인 구동 방식을 채용함으로써, 기존에는 실현이 어려웠던 게이트 입력 파형의 오버슈트를 억제하는 기능도 탑재하여, 과전압 입력으로 인한 GaN 디바이스의 고장을 방지한다. 로옴의 EcoGaN™과 함께 구성하면, 세트 설계가 용이해짐과 동시에 애플리케이션의 신뢰성 향상에도 기여한다. 그리고, 애플리케이션의 다양한 요구에 대해서도 게이트 저항을 조정함으로써, 최적의 GaN 디바이스를 선정할 수 있다.


2. 저손실화와 소형화에 기여, EcoGaN™ 파워 스테이지 IC
부품 체적 약 99%, 전력 손실 약 55% 삭감 가능

로옴(ROHM) 주식회사는 데이터 서버 등의 산업기기, AC 어댑터 등의 민생기기에서 사용되는 1차 전원용으로 650V GaN HEMT 및 게이트 구동용 드라이버 등을 1패키지에 탑재한 파워 스테이지 IC 「BM3G0xxMUV-LB」 (BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB)를 개발했다.

신제품은 차세대 파워 디바이스인 650V GaN HEMT와 GaN HEMT의 퍼포먼스를 최대화시키기 위해 최적화된 전용 게이트 구동용 드라이버 및 추가 기능, 주변 부품을 원패키지에 탑재했다. 
 

또한, 폭넓은 구동전압 범위 (2.5V~30V) 등, 1차 전원의 모든 컨트롤러 IC에 대응 가능한 성능을 구비하여, 기존의 실리콘 MOSFET(Super Junction MOSFET/ 이하, Si MOSFET)의 대체 사용이 용이하다. 이에 따라, Si MOSFET에 비해 부품 체적을 약 99%, 전력 손실을 약 55% 삭감할 수 있어, 저손실화와 소형화를 동시에 실현할 수 있다.

로옴은 이러한 시장 배경에 대응하여, 파워와 아날로그의 2가지 코어 기술을 융합함으로써 파워 반도체인 GaN HEMT와 아날로그 반도체인 게이트 구동용 드라이버를 1패키지에 집적한 파워 스테이지 IC를 개발했다. 이에 따라, 차세대 파워 반도체 GaN 디바이스의 실장이 용이해졌다.

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