2019년 하반기 완공, 시험 생산 거쳐 2020년부터 본격적으로 가동
삼성이 새로 착공하는 신규 라인에 미세공정 한계 극복에 필수적인 EUV(극자외선) 장비가 도입된다
삼성전자가 23일 경기도 화성캠퍼스에서 ‘삼성전자 화성 EUV 라인 기공식’을 열고 본격적으로 라인 건설에 착수했다. 이번에 착공하는 화성 EUV 라인은 2019년 하반기에 완공, 시험 생산을 거쳐 2020년부터 본격적으로 가동을 시작할 예정이다.
이번 신규 라인 도입은 삼성전자가 향후 반도체 미세공정 기술 리더십을 유지하는 데 핵심 역할을 할 것으로 예상된다.
반도체 산업은 공정 미세화를 통해 집적도를 높이고 세밀한 회로를 구현하며 반도체의 성능과 전력 효율을 향상해 왔다. 그러나 최근 한 자릿 수 나노 단위까지 미세화가 진행됨에 따라 보다 세밀한 회로를 구현하기 위해서는 기존 ArF(불화아르곤) 광원보다 파장이 짧은 EUV 장비의 도입이 불가피하게 되었다.
EUV 기술이 본격적으로 상용화되면 반도체의 성능과 전력 효율을 향상할 수 있음은 물론 회로 형성을 위한 공정 수가 줄어들어 생산성도 획기적으로 높일 수 있다.
삼성전자는 화성 EUV 라인을 통해 향후 모바일/서버/네트워크/HPC 등 고성능과 저전력이 요구되는 첨단 반도체 시장 수요에 적기 대응하고, 7나노 이하 파운드리 미세공정 시장을 주도해 나갈 계획이다. 화성 EUV라인의 초기 투자 규모는 건설 비용 포함 2020년까지 60억불 수준으로, 삼성전자는 라인 가동 이후 시황에 따라 추가 투자를 추진할 계획이다.
2000년도 삼성전자 화성캠퍼스 개발로 시작된 삼성전자와 화성시의 동반 성장은 이번 EUV 신규 라인 건설로 더욱 확대될 전망이다. 화성시는 첨단 반도체 산업의 메카로서의 입지를 확고히 하게 됐다.
한편 삼성전자는 파운드리 7나노 공정부터 EUV 기술을 적용하기 위한 연구개발을 지속적으로 수행해 왔으며 글로벌 고객과 7나노 EUV 공정을 활용한 차세대 반도체 칩 개발에 협력하고 있다.
<저작권자(c)스마트앤컴퍼니. 무단전재-재배포금지>
