[반도체] 경기 어려운데 “투자는 더” 글로벌 반도체사 ‘잰걸음’
  • 2023-03-07
  • 신윤오 기자, yoshin@elec4.co.kr

TI, 마이크로칩, 인피니언 등 자국내 팹 투자 잇따라

글로벌 경기 침체가 이어지고 있는 가운데, 최근 대형 반도체 기업의 설비 투자가 활발히 진행되고 있어 눈길을 끈다.

텍사스 인스트루먼트(TI)는 유타주 리하이에 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 제조공장(Fab) 건설 계획을 발표했다. 새로운 팹은 리하이에 위치한 TI의 기존 300mm 반도체 웨이퍼 팹인 LFAB 옆에 위치할 예정이며, 완공 후 두 팹은 하나의 팹으로 통합되어 운영될 예정이다.

리하이 팹 확장은 약 800개의 추가적인 TI 내부 일자리와 수천 개의 간접적인 일자리를 창출할 것으로 예상된다. TI는 알파인 학구와의 파트너십 강화를 기대하고 있으며, 학생들에게 다양한 기회를 제공하기 위해 900만 달러를 투자할 예정이다. 리하이는 숙련된 인재, 탄탄한 기존 인프라, 네트워크 등 최적의 입지 조건을 갖추었다. 신설 팹에서는 매일 다양한 분야의 전자제품에 탑재될 수천만 개의 아날로그 및 임베디드 프로세싱 칩이 생산될 예정이다.

TI, 새 300mm 팹 하반기 착공

리하이에 위치한 첫 번째 팹 대비 재활용하게 될 물의 비율은 약 두 배에 이른다. 리하이의 첨단 300mm 장비와 공정을 통해 칩 하나에 사용되는 폐기물과 물, 에너지의 소모를 절감하는데 기여할 것으로 전망된다.
 

새로운 팹은 2023년 하반기에 착공하여 이르면 2026년에 생산을 시작할 수 있을 것으로 예상되며, 건설 비용은 TI가 이전에 발표한 제조 역량 확장을 위한 자본 지출 계획에 포함되어 있다. 리하이의 두 번째 팹은 TI의 기존 300mm 팹인 텍사스주 댈러스의 DMOS6, 텍사스주 리차드슨에 위치한 RFAB1과 RFAB2, 유타주 리하이의 첫 번째 팹인 LFAB을 보완하는 역할을 하게 된다. 한편, TI는 텍사스주 셔먼에도 4개의 새로운 300mm 웨이퍼 팹을 건설하고 있다.

TI의 현 총괄 부사장 및 COO 이자 차기 신임 사장 겸 CEO로 선임된 하비브 일란(Haviv Ilan)은 “이번에 신설되는 팹은 자체 제조 역량을 강화하기 위한 TI의 장기적인 300mm 제조 로드맵의 일부로, 향후 수십 년에 걸쳐 예상되는 고객의 수요에 대비할 예정”이라며, “특히 산업용과 자동차 등 전자기기 분야에서 반도체 업계의 큰 성장이 예상되고 ‘반도체 지원법(CHIPS Act)’이 통과됨에 따라 TI의 내부 제조 역량 투자를 확대할 적기라고 판단했다”고 전했다.

마이크로칩, SiC 및 Si 생산 확대

마이크로칩테크놀로지가 미국 콜로라도 스프링스 제조 시설의 실리콘 카바이드(SiC) 및 실리콘(Si) 생산 능력을 확장하기 위해 8억 8천만 달러(한화 약 1.1조 원)를 투자한다고 밝혔다.

마이크로칩은 이번 투자를 통해 6만 평, 1.6만 평에 달하는 콜로라도 스프링스 캠퍼스를 개발, 보완하여 자동차/전기차, 그리드 인프라, 친환경 에너지, 그리고 항공우주방위 애플리케이션에 사용되는 실리콘 카바이드(SiC) 제조 역량을 증강할 예정이다.
 

현재 마이크로칩의 콜로라도 스프링스 캠퍼스는 850명 이상의 직원을 고용하고 있으며, 6인치 웨이퍼에서 제품을 생산하고 있다.

마이크로칩은 이번 투자를 통해 시설을 확충하고 8인치 웨이퍼를 구동하여 이 곳에서 반도체 칩 생산량을 크게 증가시키게 될 것으로 바라보고 있다. 이를 통해 생산직에서부터 장비 조달 및 관리, 공정 제어 및 테스트 엔지니어링 등 기술직에 이르기까지 400여 개 일자리 추가 창출을 기대하고 있다.

콜로라도 주 마이클 베넷(Michael Bennet) 상원의원은 “미국의 반도체 산업 활성화와 첨단 제조업 일자리의 재창출을 위해 작년 반도체칩·과학법(CHIPS and Science Act)의 미국 의회 의결을 위해 힘썼다”라고 말했다. 마이크로칩 가네쉬 무쉬(Ganesh Moorthy) CEO는 “2022년 의결된 반도체칩·과학법을 통해 마이크로칩은 투자 세액 공제와 같은 혜택을 누리고 있으며, 콜로라도 스프링스뿐 아니라 여러 지역에서의 반도체 제조 시설의 확장을 위한 지원 혜택을 모색 중에 있다”고 말했다.

인피니언, 신규 팹 2026년 완공 예정

인피니언 테크놀로지스는 아날로그/혼합 신호 기술과 전력 반도체를 위한 새로운 공장 건설을 시작한다고 밝혔다.

인피니언 경영 이사회와 감사회가 승인하였고, 독일 연방 경제 및 기후 행동부(BMWK)도 조기 프로젝트 시작을 승인했다. 인피니언은 약 10억 유로의 공적 자금을 모집하고 있으며, 총 50억 유로 가량을 투자할 계획이다.
 

신규 팹은 탈탄소화와 디지털화에 기여할 것이다. 아날로그/혼합신호 부품은 에너지 효율적인 충전기, 차량용 소형 엔진 제어 유닛, 데이터 센터, IoT 애플리케이션의 전원장치 시스템에 사용된다. 전력 반도체와 아날로그/혼합신호 부품을 결합하면 에너지 효율적인 지능형 시스템 솔루션이 가능해진다.

신규 공장은 2023년 건설을 시작하여 2026년 가을에 가동을 시작할 예정이다. 이 확장으로 약 1,000개의 우수한 일자리가 창출될 것이며 드레스덴의 신규 팹이 본격적인 가동에 들어가면 계획된 투자 금액에 맞먹는 추가적인 연간 매출 창출이 기대된다고 업체 측은 전망했다.

요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 “인피니언은 드레스덴에 300mm 스마트 파워 팹을 건설함으로써 반도체 솔루션에 대한 증가하는 수요를 성공적으로 충족하게 될 것”이라고 말했다.

온세미, 글로벌 파운드리 시설 인수 완료

온세미는 글로벌파운드리(GF) 300mm 이스트 피시킬(East Fishkill, EFK)의 미국 뉴욕 부지 및 제조 시설 인수를 성공적으로 완료했다고 발표했다.

인수는 2022년 12월 31일부터 발효됐다. 이번 거래로 온세미에 세계적 수준의 기술자와 엔지니어 1,000여명 이상이 추가됐다. 지난 3년간 온세미는 EFK 시설과 직원들의 장기적인 미래 확보에 주력해 왔으며, 300mm 수준의 높은 투자를 통해 회사의 전력, 아날로그 및 센싱 제품의 성장을 가속화하고 제조 비용 구조를 개선했다. EFK 팹은 미국 내 온세미의 최대 제조 시설이며, 회사의 제조 프로필에 이미지 센서 생산에 필요한 특수 처리 기능을 갖춘 40nm 및 65nm 기술 노드를 포함한 고급 CMOS 기능을 추가한다.

온세미 CEO인 하산 엘 코우리(Hassane El-Khoury)는 “이번에 EFK가 당사 제조 시설에 추가되면서 온세미는 미국에서 유일한 12인치 파워 디스크리트 및 이미지 센서 팹을 갖게 되어 전기차, ADAS, 에너지 인프라 및 공장 자동화의 메가트렌드에 맞춰 성장을 가속화할 수 있다”라고 말했다.
 

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