IBK창공 대전 5기 스타트업, 차세대 메모리 및 AI 반도체 분야에서도 핵심 기술로 주목

이온주입기술 전문기업인 ㈜라드피온(대표 김명진)이 반도체 제조공정의 핵심 기술로 부각되고 있는 '초고밀도 대면적 금속이온원(UMIS)'을 세계 최초로 독자 개발했다. 이 기술은 반도체 및 디스플레이 제조공정뿐만 아니라 차세대 메모리 및 AI 반도체 분야에서도 핵심 기술로 주목받고 있다.

㈜라드피온은 이온주입기술을 활용해 반도체 제조공정에서 발생하는 정전기 방전을 예방하는 '이온주입 반도체 제전부품'을 공급하는 스타트업이다.
 
최근 반도체 공정에서 정전기 방전에 의한 미세 결함 문제가 심화됨에 따라, 정전기 차폐 성능을 강화한 차세대 소재 개발에 집중하고 있다.

㈜라드피온이 개발한 UMIS는 초고밀도 금속이온 발생 및 인출 기술 개발을 통해 구리(Cu) 이온 기준 최대 100mA 이상의 금속 이온빔 인출이 가능하다. 이는 기존 상용 금속이온원(HVEE, Danfysik 등) 대비 20배 이상 향상된 성능을 자랑한다.

특히, 플라즈마 최적화 및 정밀 제어 기술을 통해 금속이온화율과 빔 순도를 대폭 향상해 복잡한 질량분리 과정 없이 95% 이상의 순수한 금속 이온빔을 인출할 수 있다. 또한 질량분리와 가속관을 쓰지 않는 독창적 구조를 통해 에칭, 코팅, 이온주입이 단일 공정에서 모두 가능하다는 장점도 존재한다.

㈜라드피온은 이러한 기술력을 바탕으로 반도체와 디스플레이 분야 전반으로 사업 영역을 확장하고 있다. UMIS를 활용해 다양한 전도형 절연소재와 절연형 금속소재를 개발하고 있으며, 특히 초고성능 메모리 반도체 제조에 필수적인 1E6~1E9 ohm/square 범위의 전도성을 갖는 절연형 금속소재 상용화에 집중하고 있다.

또한, 차세대 HBM(High Bandwidth Memory) 패키징과 AI 반도체의 열 문제를 해결하기 위한 'UMIS 기반 저온 이온빔 이종접합 기술'도 개발 완료했다. 이 기술은 열계면물질(TIM) 없이 저온에서 유리기판이나 초고속 방열 다이아몬드에 구리 및 티타늄 금속 박막을 직접 접착시키는 방식으로, 국제기준 밀착력 평가에서 최고 등급을 획득하며 기술력을 입증했다. 특히, 이 기술을 활용하면 유리기판 전극 패터닝 및 HBM용 유리 전통 관극(Through-Glass Via, TGV)에 균질한 금속 나노 코팅이 가능해, 기존 공정보다 신뢰성 높은 접합이 이루어질 수 있다.

김명진 ㈜라드피온 대표는 "세계 최고 수준의 이온빔 응용기술을 기반으로 반도체 나노 신소재 및 차세대 나노 표면기술 분야에서 글로벌 리더로 도약하는 것이 목표"라며 "향후 이온주입기술을 활용한 다양한 고부가가치 소재 개발에 박차를 가하겠다"고 밝혔다.

㈜라드피온은 UMIS를 활용한 신소재 기술 혁신을 바탕으로 글로벌 반도체·디스플레이 시장에서의 경쟁력을 강화하고, 차세대 패키징 솔루션을 선도하는 기업으로 도약할 계획이다.

한편, ㈜라드피온은 중소벤처기업부‘소재·부품·장비 스타트업 100’에 선정되었으며, 신용보증기금 ‘퍼스트펭귄형 창업기업’및 IBK기업은행의 혁신창업기업을 위한 창업육성 플랫폼 IBK창공 대전 5기로도 선정되며 기술력과 성장성을 인정받았다.