실리콘카바이드(SiC) 전문 기업 울프스피드가 고전력 애플리케이션용 신규 ‘Gen 4 MOSFET 기술 플랫폼’을 20일(현지시간) 발표했다.
울프스피드는 이번 Gen 4 플랫폼을 통해 내구성과 효율을 강화하고 시스템 비용 절감과 개발 기간 단축을 지원한다고 밝혔다. 이번 제품은 파워 모듈, 단품(디스크리트), 베어 다이(bare die) 등 다양한 제품군에 적용되며, 750V, 1200V, 2300V 등급으로 공급된다.
울프스피드 파워 제품 사업부의 제이 카메론(Jay Cameron) 수석 부사장은 “Gen 4의 핵심 목표는 실제 운용 환경에서의 전반적 시스템 효율 개선에 있다”며, “엔지니어들은 새로운 플랫폼을 통해 까다로운 운용 조건에서도 더 효율적이고 오래 지속되는 시스템을 구현할 수 있다”고 밝혔다.
실리콘카바이드 기술은 전력 장치 시장과 반도체 산업에서 실리콘을 대체할 핵심 소재로 주목받고 있다. 전기차(EV) 파워트레인, e-모빌리티, 재생에너지 시스템, 배터리 에너지저장장치(BESS), AI 데이터센터 등 고전력 애플리케이션에서 수요가 늘어나는 추세다.
미국의 유틸리티급 인버터 제조사인 EPC 파워(EPC Power) 대표이자 최고제품책임자(Chief Product Officer)인 데빈 딜리(Devin Dilley)는 “울프스피드의 신형 Gen 4 SiC 기술은 에너지원의 생산, 저장 방식을 획기적으로 바꿔줄 기술적 전환점이 될 것”이라며 기대감을 나타냈다.
울프스피드 이사회 의장인 톰 워너(Tom Werner)는 “울프스피드는 미국 지식재산권(IP)을 기반으로 미국 내 제조 시설에서 제품을 공급하는 실리콘카바이드 기업”이라며, “높은 수율의 고효율 200mm 웨이퍼 대규모 제조를 통해 Gen 4 플랫폼을 시장에 안정적으로 공급할 것”이라고 말했다.
이번 공개한 Gen 4 기술은 가혹 환경에서도 시스템 효율을 높이고 애플리케이션 수명을 연장하는 방향으로 설계됐다. 울프스피드는 향후 고전력 자동차, 산업, 재생에너지 시스템 등 다양한 분야에 Gen 4 플랫폼을 적용해 지속가능성, 경제성, 고성능을 동시에 충족하는 솔루션을 제공하겠다고 밝혔다.
<저작권자(c)스마트앤컴퍼니. 무단전재-재배포금지>
