넥스페리아가 RDS(on) 값이 40mΩ 및 80mΩ인 3핀 TO-247 패키지의 1200V 개별 소자 2종 출시로 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 시장에 진출했다고 발표했다. 이번에 선보인 NSF040120L3A0 및 NSF080120L3A0는 넥스페리아가 향후 출시할 SiC MOSFET 제품들 스루홀 및 표면 실장 패키지에 다양한 RDS(on) 값을 가진 포트폴리오의 첫 제품들이다.

이 제품들은 전기 자동차(EV) 충전 파일, 무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 태양광 및 에너지 저장 시스템(ESS)용 인버터를 포함한 산업 응용 분야에서 더욱 필요로 하는 고성능 SiC MOSFET의 수요를 충족시켜준다.

넥스페리아의 카트린 퓨를(Katrin Feurle) 수석 이사 겸 SiC 제품 그룹 책임자는 "당사는 더 많은 와이드 밴드갭 장치 공급업체를 요구해 온 이 시장에서 미쓰비시 전기의 혁신적인 기술을 접목했다”며 “넥스페리아는 이제 높은 RDS(on) 온도 안정성, 낮은 바디 다이오드 전압 강하, 엄격한 임계 전압 사양, 매우 균형 잡힌 게이트 전하비 등 여러 매개변수에서 동급 최고의 성능을 제공하는 SiC MOSFET 소자들을 제공하게 되었다. 미쓰비시 전기와의 파트너십을 통해 최고 품질의 SiC MOSFET가 생산을 시작했으며 이를 계기로 향후 몇 년 동안 SiC 소자 기술을 더욱 향상시킬 것이다”라고 언급했다.

미쓰비시 전기의 토루 이와가미(Toru Iwagami) 전력 장치 부문, 반도체 및 소자 사업부 수석 총괄 관리자는 "넥스페리아와 함께 한 파트너십의 첫 번째 제품으로 이 SiC MOSFET을 출시하게 되어 기쁘다”며 "당사는 그동안 축적해온 SiC 전력 반도체의 우수한 전문 지식으로 고유한 특성를 가진 제품들을 제공하고 있다고 설명했다.

RDS(on)는 전도 전력 손실에 영향을 미치기 때문에 SiC MOSFET의 중요한 성능 파라미터이다. RDS(on) 가 현재 사용되는 많은 SiC 소자들의 성능을 제한하는 요소임을 확인한 넥스페리아는 혁신적인 공정 기술을 채용해 새로운 SiC MOSFET이 25°C에서 175°C의 작동 온도 범위로 이 공칭 값을 38% 만 올리면서도 업계에서 사용되는 다른 동종 소자와는 달리 최고의 온도 안정성을 제공하도록 했다.

넥스페리아의 SiC MOSFET제품들은 총 게이트 전하 (QG)가 매우 낮아 게이트 구동 손실을 줄여준다는 장점을 가진다. 이 제품들은 QGD 와 QGS의 비율이 매우 낮도록 게이트 전하의 균형을 유지함으로써 기생 턴온에 대한 소자 내성을 증가시져준다.

정비례 온도 계수를 가진 넥스페리아의 SiC MOSFET제품들은 소자 간 임계 전압인 VGS(th)의 초저 확산을 제공함으로써 이 소자들이 병렬로 작동할 때 정적 및 동적 조건에서 매우 균형 잡힌 전류를 전달한다. 또한 낮은 바디 다이오드 순방향 전압(VSD) 파라미터는 소자의 견고성과 효율성을 높이는 동시에 비동기 정류 및 프리 휠 작동에 대한 데드 타임 요구 사항을 완화시켜준다.

넥스페리아는 또한 자동차용 MOSFET도 향후에 출시할 계획이다. NSF040120L3A0 및 NSF080120L3A0는 현재 대량 생산용으로 공급되고 있다.