OBC와 DC-DC 애플리케이션에서 높은 전력 밀도와 효율 달성
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 TO263-7을 적용한 새로운 세대의 차량용 1200V CoolSiC™ MOSFET을 출시한다고 밝혔다.
오토모티브 등급의 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET은 온보드 차저(OBC)와 DC-DC 애플리케이션에서 높은 전력 밀도와 효율을 달성하며 양방향 충전을 가능하게 하고, 시스템 비용을 크게 낮추도록 한다.
새로운 1200V CoolSiC 제품은 1세대와 비교해서 25퍼센트 낮은 스위칭 손실로 동급 최고의 스위칭 성능을 제공한다. 이러한 스위칭 동작 향상은 고주파수 동작을 가능하게 하여, 시스템 크기를 줄이고 전력 밀도를 높이도록 한다.
4V 이상의 게이트-소스 임계 전압(VGS(th))과 극히 낮은 Crss/Ciss 비율로 기생 턴온의 위험 없이 VGS = 0V에서 안정적인 턴오프를 달성한다. 따라서 단전원 구동이 가능하여 시스템 비용과 복잡성을 줄일 수 있다. 그뿐만 아니라 새로운 제품은 낮은 온 저항(RDS(on))을 특징으로 하여, -55°C~175°C의 전체 온도 범위에서 도통 손실을 낮춘다.
또한 향상된 확산(diffusion) 솔더링 칩 탑재 기술(.XT 기술)을 적용해서 패키지 열 성능을 크게 향상시킴으로써 SiC MOSFET 접합부 온도를 1세대와 비교해서 25퍼센트까지 낮춘다.
또한 5.89mm의 연면 거리로 800V 시스템의 요구를 충족하고 코팅 작업을 줄이도록 한다. 인피니언은 다양한 애플리케이션 요구를 충족하도록 다양한 RDS(on) 옵션을 제공한다. 여기에는 TO263-7 패키지로 시장에서 유일한 9mΩ 타입을 포함한다.
<저작권자(c)스마트앤컴퍼니. 무단전재-재배포금지>
