피홍, 트랜스폼 GaN 기반의 최신 65W 2C1A USB PD 어댑터 발표
  • 2022-07-28
  • 신윤오 기자, yoshin@elec4.co.kr

전력 제품과 전기차(EV) 충전소를 공급하는 피홍(Phihong)의 최신 65W 2C1A USB PD 어댑터에 트랜스폼(Transphorm)의 질화갈륨(GaN) 기술을 적용했다고 트랜스폼이 발표했다.

트랜스폼은 고성능 고신뢰성 GaN 전력 변환 제품을 개척해 전 세계에 제공하고 있다. 이 어댑터는 시스템 구성 요소가 적은 손쉬운 시스템 설계부터 세계 수준의 안정성을 갖춘 고성능 설계에 이르기까지 광범위한 이점을 제공하는 트랜스폼의 GaN FET 플랫폼인 SuperGaN® 4세대 기술을 활용한다.

한 번에 3개의 장치를 충전할 수 있는 피홍의 65W 어댑터는 소형 폼팩터(51 x 55.3 x 29mm)에 2개의 USB-C 포트와 1개의 USB-A 포트(2C1A)가 포함돼 있다. 이 충전기는 650V SuperGaN 단일 장치인 TP65H300G4LSG를 활용하며 유사공진 플라이백(QRF) 토폴로지를 사용하는 다른 반도체 솔루션보다 전력 손실이 약 17% 적다. 또한 최대 65W의 USB PD 및 PPS 기능을 제공한다.

TP65H300G4LSG는 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 인증을 획득한 240mOhm의 PQFN88 표면 실장 장치로 게이트 안전 여유는 ±18V다. 이 FET는 QRF, 액티브 클램프 플라이백(ACF) 또는 LLC 공진형 토폴로지에 구축된 150W 이하의 저전력 애플리케이션에 적합하다.

트랜스폼의 TP65H300G4LSG는 반도체와 유사한 임계 수준과 높은 게이트 항복 전압(최대 ±18V)을 제공한다. 또 마이너스 바이어스 전압 없이 기성 컨트롤러 제품(통합 드라이버 포함)과 페어링할 수 있다. 이로써 전원 시스템의 설계를 단순화할 수 있으며 주변 회로의 필요성을 없애 구성 요소 수를 줄이고 전반적인 시스템 안전성을 높이는 데 이바지한다. 이러한 이점은 피홍이 트랜스폼 FET를 채용하기로 한 주요한 이유다.

피홍은 전자 장치 업체가 신뢰할 수 있는 안정적인 전원 솔루션을 생산한다. 피홍은 GaN의 전력 밀도가 구현하는 이점을 주지하고 있으며 이는 새로운 GaN 어댑터를 구축하기로 한 결정으로 이어졌다. 트랜스폼은 자사 GaN FET의 단순한 설계성과 구동성, 우수한 게이트 견고성에 힘입어 GaN 디바이스 파트너로 어려움 없이 선정됐다.

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