트랜스폼(Transphorm)이 ‘TP65H050G4BS’를 출시해 표면 실장 패키지 제품을 확장했다.

새로 출시된 고전력 표면실장장치(SMD)는 TO-263(D2PAK)의 650V SuperGaN® FET로 50밀리옴의 일반적인 온저항(on-resistance)을 제공한다. 이 장치는 트랜스폼의 7번째 SMD로, 저전력~중전력 애플리케이션용으로 시판 중인 다양한 PQFN 장치를 확대한다.

국제반도체 표준화 기구 JEDEC의 인증을 획득한 TP65H050G4BS는 데이터 센터 및 광범위한 산업 애플리케이션에 주로 사용되는 고전력(단일~다중 킬로와트) 시스템의 개발 설계자와 제조업체에 여러 이점을 제공한다.

트랜스폼이 자랑하는 동급 최고의 신뢰성과 게이트 견고성(±20Vmax), 실리콘 잡음 여유도 임계값(4V)을 구현하면서 GaN 기술이 보장하는 설계 용이성과 전류 구동 능력을 지원한다. 엔지니어는 더 높은 전력과 표면 실장 패키징이 모두 필요한 분야에 대형 D2PAK를 적용해 열 성능을 개선할 수 있다. PQFN 유형의 패키지는 단일한 제조 플로를 사용해 PCB 조립의 효율성도 높여준다.

개별 장치로 제공되는 D2PAK는 수직 도터 카드(daughter card)로도 제공돼 트랜스폼의 TDTTP2500B066B-KIT(2.5kW AC-DC 브리지리스 토템 폴 역률 보상(PFC) 평가 보드의 전력 밀도를 높여준다. 또한 1.2kW 동기식 하프 브리지 TDHBG1200DC100-KIT 평가 보드로 교체해 다중 킬로와트 전력을 구동할 수도 있다.

필립 주크(Philip Zuk) 트랜스폼 글로벌 마케팅·애플리케이션·사업개발 담당 선임 부사장(SVP)은 “D2PAK은 트랜스폼의 포트폴리오를 강화하는 중요한 제품”이라며 “이전에 스루홀(through-hole) 장치로 지원되던 고전력 애플리케이션에도 SMD를 확대 적용할 수 있게 됐다”고 설명했다. 이어 “이는 고객이 설계 문제를 제거하고 시스템 개발을 단순화하며 시장 출시 시간을 단축하도록 돕는 친숙한 TO-XXX 패키지를 통해 트랜스폼이 제공하는 GaN 플랫폼의 장점을 활용하도록 뒷받침하는 새로운 진전”이라고 강조했다.

트랜스폼은 GaN 업계에서 유일하게 표준형 표준 TO-XXX 패키지의 고전압 GaN 장치를 제공하고 있다. 이들 패키지는 손상에 대한 고유 게이트 감도를 고려할 때 대안형 e-모드 GaN 기술과 함께 사용할 수 없다.