TPU(트랙션 동력 장치), APU(보조 동력 장치), SST(반도체 변압기), 산업용 모터 드라이브 및 에너지 인프라 솔루션의 시스템 개발자는 효율성 증대 및 시스템 크기 및 무게 절감, 신뢰성 향상을 위해 고전압 스위칭 기술을 필요로 한다.

마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표: 한병돈)는 업계 최저 온저항(Rds(on))을 제공하는 3.3kV SiC MOSFET과 업계 최고 정격 전류를 제공하는 SiC SBD를 출시해 SiC 포트폴리오를 확장했다.



해당 디바이스는 견고성, 신뢰성 및 성능 면에서 개발자에게 이점을 제공한다. 마이크로칩은 이번 SiC 포트폴리오 확장으로 전기 운송, 재생 에너지, 항공우주 및 산업 애플리케이션을 위한 더 작고 가벼우며 효율적인 솔루션을 개발할 수 있는 툴을 개발자에게 제공한다.

오늘날 많은 실리콘 기반의 디자인이 효율성 향상, 시스템 비용 절감 및 애플리케이션 혁신의 한계에 다다랐다. 고전압 SiC는 이러한 문제를 해결할 수 있는 검증된 대안이지만, 지금까지 3.3kV SiC 전력 디바이스의 가용성은 제한적이었다. 마이크로칩의 3.3kV MOSFET 및 SBD는 700V, 1200V 및 1700V 다이, 디스크리트, 모듈 및 디지털 게이트 드라이버를 포함하는 마이크로칩의 포괄적인 SiC 솔루션 포트폴리오의 일부다.

마이크로칩의 3.3kV SiC 전력 디바이스는 25밀리옴(mOhm)의 업계 최저 온저항을 제공하는 MOSFET과 90암페어(amp)의 업계 최고 정격 전류를 제공하는 SBD를 포함한다. 해당 MOSFET 및 SBD는 모두 다이 또는 패키지 폼으로 제공된다. 개발자는 해당 디바이스의 탁월한 성능으로 디자인을 단순화하고 고출력 시스템을 개발할 수 있으며, 병렬 구성 요소를 적게 사용함으로써 더 작고 가벼우며 효율적인 전력 솔루션을 구현할 수 있다.

마이크로칩의 디스크리트 제품 부문 부사장인 레옹 그로스(Leon Gross)는 “마이크로칩은 시스템 혁신을 가속화하고 신속하게 최종 제품의 경쟁 우위를 확보할 수 있는 역량을 고객에게 제공하고자 개발에 박차를 가하고 있다. 고객은 마이크로칩의 새로운 3.3kV SiC 전력 제품군을 사용해 더욱 쉽고 빠르며 안정적으로 고전압 SiC로 전환할 수 있다. 실리콘 기반 디자인에 비해 우월한 해당 기술이 제공하는 많은 이점을 누릴 수 있다”고 말했다.