세계 메모리 솔루션 업계 선도기업인 도시바 메모리 코퍼레이션(Toshiba Memory Corporation)이 셀당 3비트를 저장하는 3중셀(TLC) 기술이 채용된 실리콘 관통전극(Through Silicon Via: TSV) 기술을 적용해 세계 최초의 BiCS FLASH™ 3차원(3D) 플래시 메모리를 개발했다고 발표했다.
개발 목적을 위한 시제품은 지난 6월부터 출하되기 시작했으며 제품 샘플은 2017년 후반기에 공개될 예정이다. 이 획기적인 디바이스의 시제품은 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 8월 7~10일에 열리는 2017플래시 메모리 서밋(2017 Flash Memory Summit)에서 공개될 예정이다.
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TSV 기술을 적용한 디바이스는 데이터를 고속으로 입출력하면서 전력 소모를 줄이는 구조로 수직 전극 및 바이어스가 실리콘 다이(Die)를 통과해 연결성을 제공한다. 실제로 사용하는 성능은 이전에 발표된 도시바의 2D 낸드(NAND) 플래시 메모리를 통해 이미 입증됐다.
도시바 메모리 코퍼레이션은 48레이어 3D플래시 공정과 TSV기술을 결합해 제품의 프로그래밍 대역폭을 성공적으로 증대시키면서 전력 소비를 낮췄다. 단일 패키지의 전력 효율성은 와이어 본딩 기술을 적용한 동일 세대 BiCS FLASH™ 메모리의 약 두 배가 된다. 또 TSV기술을 적용한 BiCS FLASH™메모리는 단일 패키지에 16 다이를 적층한 구조로 용량이 1테라바이트(TB)에 이른다.
도시바 메모리 코퍼레이션은 TSV기술을 적용한 BiCS FLASH™ 메모리를 상용화해 기업용 고성능 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 포함한 저지연성, 고대역폭의 IOPS(초당 입출력 횟수)/와트를 필요로 하는 스토리지 애플리케이션에 적합한 솔루션을 제공할 예정이다.
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