최근 출시된 인텔® 제온® 6(Intel® Xeon® 6) 데이터센터 프로세서는 새로운 메모리인 MRDIMM(Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module)의 수혜를 처음으로 받아 더욱 향상된 성능을 제공할 수 있다.

한국경제인협회가 최근 개최한 역대 산업부 장관 특별대담에서, 황철성 서울대 석좌교수(재료공학부)는 이렇게 우려했다. 역대 산업부 장관들은 한국이 반도체 강국 지위를 지키기 위해서는 과감한 혁신과 정부의 전방위적 지원이 시급하다고 입을 모았다.?

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 EEPROM의 전력 효율성 및 내구성과 플래시 메모리의 용량 및 속도를 결합한 하이브리드 메모리 Page EEPROM을 출시해, 크기 및 전력 제약이 있는 애플리케이션을 지원한다고 밝혔다.

SK하이닉스가 현존 HBM 최대 용량인 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 밝혔다. 기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였다.

삼성전자가 AI시대 초고용량 서버SSD를 위한 '1Tb(테라비트) QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'를 업계 최초로 양산했다고 밝혔다. 삼성전자는 지난 4월 'TLC 9세대 V낸드'를 최초 양산한데 이어 QLC 제품까지 선보이며 고용량?고성능 낸드플래시 시장 리더십을 굳건히 했다.

SK하이닉스가 28일 코엑스 컨벤션 센터에서 개최된 ‘델 테크놀로지스 포럼 2024(Dell Technologies Forum 2024, 이하 DTF)’에 참가해 AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 선보였다.

SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 밝혔다. 이로써 회사는 10나노대 초반의 극 미세화된 메모리 공정 기술을 세상에 내놓게 됐다.

마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표 한병돈)는 탁월한 유연성과 상호운용성(interoperability)을 극대화하기 위해 LAN887x 이더넷 PHY 트랜시버 제품군을 출시, SPE 솔루션을 확장한다고 밝혔다. 이번에 출시한 제품은 1000BASE-T1 네트워크 속도와 최대 40m의 케이블 길이로 100Mbps~1000Mbps를 지원한다.

삼성전자가 업계 최소 두께 12나노급 LPDDR5X D램 12?16GB(기가바이트) 패키지 양산을 시작한다. 이번 제품의 두께는 0.65mm로 현존하는 12GB 이상 LPDDR D램 중 가장 얇다. 삼성전자는 업계 최소 크기 12나노급 LPDDR D램을 4단으로 쌓고 패키지 기술, 패키지 회로 기판 및 EMC 기술 등 최적화를 통해...

마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표 한병돈)는 Flashtec® NVMe® 5016 SSD 컨트롤러를 출시한다고 밝혔다. 이 16채널 PCIe® Gen 5 NVM Express®(NVMe) 컨트롤러는 더 높은 수준의 대역폭, 보안 및 유연성을 제공하도록 설계되었다.