X-FAB Silicon Foundries SE는 자사의 SONOS 기술을 기반으로 한 혁신적인 비휘발성 메모리(NVM) 데이터 저장 솔루션을 발표했다.

X-FAB은 고전압 BCD-on-SOI XT011 플랫폼에서 고객에게 AECQ100 Grade-0 준수 32KByte 용량의 임베디드 플래시 IP와 추가 4Kbit EEPROM을 제공하며, 이 모든 것은 110nm 반도체 공정 노드에서 구현된다. 2025년부터는 64KByte 및 128KByte 플래시와 더 큰 EEPROM 용량도 제공될 예정이다.



X-FAB은 독특한 접근 방식을 취해 플래시와 EEPROM 요소를 하나의 매크로 내에 배치하고, 필요한 제어 회로를 공유하도록 설계했다. 이 방식은 더 간단한 구성을 실현하여 결합된 요소의 전체적인 풋프린트를 축소시켰고, 업계에서 Grade-0, 175°C에 적합한 32KByte 저장 솔루션에 대한 새로운 기준을 설정하게 되었다.

이 플래시는 -40°C에서 175°C의 전체 온도 범위에서 데이터를 읽을 수 있는 시장에서 가장 진보된 데이터 액세스 능력을 제공한다. EEPROM은 175°C까지 데이터를 쓸 수 있는 기능도 제공하며, 이는 더 자주 데이터를 써야 하는 응용 프로그램에 유리하여 플래시의 내구성을 높이고 유연성을 제공한다. EEPROM은 플래시가 데이터를 쓸 수 없는 온도 조건에서 데이터를 임시로 저장하고, 온도가 125°C 이하로 떨어졌을 때 플래시로 데이터를 기록하는 역할도 한다. 이 IP는 뛰어난 내구성 특성, 데이터 저장 무결성 및 공간 절약을 제공하며, 자동차, 의료 및 산업 응용 프로그램의 요구 사항을 충족하도록 설계되었다.

새로운 NVM 콤보 IP는 플래시 요소에 대해 64비트 버스와 8비트 ECC를 제공하고, EEPROM 요소에는 14비트 ECC를 제공한다. 이는 이를 통합한 장치에서 제로-PPM 오류 성능을 가능하게 한다. 또한 메모리 접근을 용이하게 하는 전용 회로와 DFT가 포함되어 테스트 시간을 크게 단축시키고 관련 비용을 최소화한다. X-FAB은 필요시 BIST 모듈 및 테스트 서비스를 제공할 수 있다.

X-FAB의 NVM 개발 담당 이사인 토마스 람쉬는 “자사의 독점적인 SONOS 기술을 활용한 새로운 NVM IP를 통해 X-FAB은 최고 수준의 신뢰성을 제공합니다. 이 IP는 임베디드 시스템을 위한 최고의 데이터 유지 및 온도 안정성을 제공할 것입니다.”라며, “두 가지 다른 NVM 요소인 플래시와 EEPROM을 하나의 매크로로 결합함으로써 가장 까다로운 운영 상황을 처리할 수 있는 임베디드 데이터 저장 솔루션을 제공하게 되었습니다.”라고 말했다.

또 X-FAB의 NVM 솔루션 기술 마케팅 매니저인 난도 바질레는 “풋프린트를 축소하고 접근 시간을 가속화한 NVM 콤보 IP는 고급 로직 콘텐츠 응용 프로그램 개발에 중요한 역할을 할 것이며, 이는 ARM, RISC-V와 같은 기존 CPU 아키텍처에서뿐만 아니라 고객의 독자적인 설계에서도 차세대 스마트 센서 및 액추에이터 CPU 시스템 설계를 가능하게 할 것입니다.”라고 덧붙였다.