편리하게 소자의 손실과 특성 한 눈에 확인해

텔레다인르크로이(Teledyne LeCroy)는 전력반도체 측정 및 전력 변환 장치를 정밀 측정할 수 있는 장비를 꾸준히 공급해왔다. 

현재 전력반도체는 Si 기반의 MOSFET와 IGBT가 많은 부분을 차지하고 있으며, 전압 성능에 따라 다이나믹 온저항이 증가하는 제약이 있다. 전기자동차, 항공, 라이다를 비롯한 여러 응용 분야에서 요구되는 고전압 특정과 빠른 스위칭 주파수 그리고 낮은 온저항 특성을 달성할 수 있는 SiC(Silicon Carbide)와 GaN(Gallium Nitride)이 대체 재료로 주목받고 있다. 
 
전력 반도체 소자에 와이드밴드갭 소자가 도입되면서 테스트 엔지니어들은 플로팅 측정, 스위칭 손실 및 온저항 측정 등 정확한 측정과 설계 마진을 확보해야 한다. 텔레다인르크로이는 엔지니어가 최소한의 노력으로 빠르게 결과를 도출할 수 있도록 하기위해 여러가지 솔루션을 공급하고 있다.

SiC 기반의 전력반도체는 수 나노초의 빠른 시간에 스위칭을 수행하여 수백 MHz이상의 주파수 대역폭 이 필요하며, 특히 상단 측 스위칭 소자 측정을 위해서는 절연 및 높은 전압의 공통모드 제거비가 필요하다. 텔레다인르크로이는 DL-ISO 및 HFVO108을 제공하여 상단 측 게이트 전압과 드레인-소스 사이의 스위칭 전압을 낮은 노이즈에서 안전하고 정확하게 프로빙할 수 있는 솔루션을 제공하고 있다.

안전하고 정확하게 프로빙

JEDEC에서 스위칭 손실, 스위칭 On/Off 지점의 구분 및 Turn-On/OFF 지연 등 와이드밴드갭 소자의 측정에 대한 가이드라인을 제시하고 있다. 텔레다인르크로이의 Device-Power 소프트웨어는 JEDEC의 가이드에 따라 측정 결과물을 제공하여 사용자가 편리하게 와이드밴드갭 소자의 손실과 특성을 한 눈에 확인할 수 있다. 



텔레다인크르로이는 빠르게 발전하고 적용되는 전력 반도체 소자 측정과 전력 반도체를 탑재한 장치들의 특성을 빠르게 파악할 수 있도록, 필요한 차동 프로브, 광 절연프로브, 전류 프로브를 제공하며, 가장 기본이 되는 오실로스코프의 정밀도를 확보하기위해 업계 최초로 12 비트 분해능을 가진 오실로스코프 시리즈를 계속 공급하고 있다.

엔지니어에게 필요한 분석 소프트웨어를 함께 제공함으로써 전력 반도체 관련 엔지니어들에게 필요한 솔루션을 적기에 공급할 수 있도록 항상 마켓의 필요사항에 귀기울이 있으며, 필요한 기능을 빠르게 업데이트하고 있다.



 BEST PRODUCT 2  1. DL-ISO 고전압 Wide Band Gap 프로브
GaN 및 SiC 반도체 분석 위한 가장 정확한 측정 시스템 개발

텔레다인르크로이 DL-ISO 고전압 WGB 프로브는 설계 엔지니어에게 가장 신뢰도가 높은 GaN 및 SiC 전력 반도체 디바이스 측정을 제공한다. 

1GHz 대역폭, 2500V 차동 입력 범위, 60kV 공통 모드 전압 사양을 제공하는 DL-ISO 프로브는 GaN 및 SiC 장치 특성화 및 시스템 개발 엔지니어 모두에게 적합하다. DL-ISO 고전압 WGB 프로브는 업계 최고의 12비트 해상도 HDO와 결합했을 때 1.5%에 달하는 최고의 신호 충실도, 가장 낮은 오버슈트 및 최고의 정확도를 자랑한다. 이는 경쟁사보다 거의 두 배나 우수하다. 
 

1GHz 대역폭은 GaN 장치 1ns 상승 시간을 측정하기 위한 요구 사항을 충족한다. 또한 HDO는 고속 GaN 및 SiC 장치 신호의 가장 충실한 신호 포착 및 관측 및 측정할 수 있도록 12비트 해상도로 최대 20 GS/s의 샘플링 속도를 제공한다. 최상의 신호 충실도, 낮은 오버슈트, 높은 정확도, 높은 대역폭 및 높은 샘플링 속도 조합은 새로운 설계에서 GaN 및 SiC 기술을 성공적으로 구현하기 위해 매우 중요하다. 

DL-ISO 고전압 WGB 프로브는 업계 표준 MMCX 커넥터 또는 고전압 안전 사각 핀 헤더를 사용하여 원치 않는 노이즈를 제거하고 테스트 보드에서 터미네이션을 제공하는 고품질 동축 감쇠 팁을 사용하여 측정 신뢰도를 높인다.



2. 파워 디바이스 소프트웨어 옵션
더블 펄스 테스트(DPT)를 위한 완벽한 솔루션

텔레다인르크로이의 오실로스코프용 Power-Device 소프트웨어 옵션은 JEDEC 표준을 준수하는 GaN 및 SiC 장치의 전력 측정을 쉽게 수행할 수 있도록 설계되었다. 이 소프트웨어는 이중 펄스 테스트(DPT) 방법을 사용하여 반도체 장치(예: MOSFET)를 테스트할 때 매우 유용하다. 



드레인-소스, 게이트-소스 등 입력 신호를 정의하여 설정하면 파워 디바이스 소프트웨어가 측정값을 플롯할 수 있는 대화형 테이블에 보기 쉽게 측정 결과를 표시할 수 있다. 측정 소프트웨어 내에서 신호 간 사이의 시간차와 수직축 오프셋을 정밀하게 미세 조정할 수 있도록 향상된 인터페이스를 제공한다.

JEDEC 지침에서 권장하는 측정 레벨을 기준에 따라 자동으로 설정하여 측정을 수행하거나 원하는 측정 레벨을 수동으로 지정하여 측정할 수 있다. 측정 레벨을 수동 지정하면, 기존의 정의된 설정은 무시되고 사용자가 지정한 레벨에서 모든 측정을 자동으로 수행한다. 

단일, 이중 또는 다중 펄스인지 관계없이 간단히 버튼을 눌러 숫자창에서 모든 테스트 결과를 보거나 사이클별 파형을 선택하여 펄스별 결과를 볼 수 있다.