파나소닉 코퍼레이션(Panasonic Corporation)은 2016년 11월, GaN 전력용 트랜지스터 X-GaN을 작동시키는데 최적화된 고속 게이트 드라이버(AN34092B)의 대량 생산을 시작할 것이라고 발표했다. 또한 두 종류의 X-GaN (PGA26E07BA 및 PGA26E19BA) 대량 생산에도 착수하고 고속 게이트 드라이버와 결합한 솔루션을 제공할 예정이다.
GaN은 여러 가지 전력 유닛에 사용되는 트랜지스터에 적용할 경우, 공간과 에너지를 절약할 수 있는 차세대 반도체 화합물(semiconductor compounds) 중 하나다. 그러나 게이트 드라이버는 트랜지스터를 작동시키는데 필요하지만, GaN 트랜지스터의 게이트 구조는 실리콘 트랜지스터의 구조와는 다르기 때문에 종래의 실리콘(Si) 트랜지스터용 일반 게이트 드라이버는 GaN 트랜지스터의 전위(potential)를 활용할 수 없다.
.jpg "201601109(4).jpg")
새로운 고속 게이트 드라이버(AN34092B)는 파나소닉의 X-GaN이 쉽고 안전하게 고속 스위칭 성능(switching performance)을 달성하도록 도와주는 역할을 한다. 최대 4MHz의 고주파에서 트랜지스터를 작동시키며, 고속 스위칭이 일어나는 동안 오작동을 방지하는 능동 밀러 클램프(active miller clamp) 기능을 통합시킨다. X-GaN은 파나소닉의 특수한 기술을 이용해 600V의 항복 강화 모드(breakdown enhancement mode)를 달성하고, 고속의 스위칭 및 낮은 온 저항(on-resistance) 특성을 나타낸다. X-GaN과 전용 고속 게이트 드라이버를 결합하면 여러 가지 산업용 및 소비자용 전력 변환 유닛(power conversion units)의 공간과 에너지를 크게 절약시켜준다.
X-GaN과 전용 고속 게이트 드라이버는 100W에서 5kW에 이르는 전력공급 유닛, 인버터, 데이터 센터, 이동기지국, 소비자 전자제품, 시청각 기기, 산업용 및 의료용 기기와 같은 다양한 애플리케이션에 적합하다.
X-GaN과 전용 고속 게이트 드라이버는 올해 11월8일(화)부터 11일(금)까지 독일 뮌헨에서 개최되는 일렉트로니카 2016(electronica 2016)에서 전시될 예정이다.
<저작권자(c)스마트앤컴퍼니. 무단전재-재배포금지>
