내셔널 세미컨덕터, 강화 모드 GaN 전력 FET용 100V 하프브리지 게이트 드라이버
내셔널 세미컨덕터 코리아는 고전압 전력 컨버터에서 강화 모드 GaN 전력 FET에 최적화된 업계 최초의 100V 하프브리지 게이트 드라이버를 출시했다고 발표했다.
내셔널의 새로운 LM5113은 고집적 하이사이드 및 로우사이드 GaN FET 드라이버로서 디스크리트 드라이버 설계와 비교했을 때 부품수를 75퍼센트 줄이고 인쇄 회로 보드(PCB) 면적을 85퍼센트까지 감소시킨다.
전력 브릭 및 통신 인프라 장비 설계자들은 최소한의 폼팩터에서 높은 전력 효율성을 실현해야 한다. 강화 모드 GaN FET는 크기가 매우 작고, 온-저항과 게이트 전하가 낮기 때문에 MOSFET과 비교하여 새로운 차원의 효율성과 전력 밀도를 얻을 수 있지만 안정적 구동이 문제점으로 남아 있다. LM5113 드라이버 집적회로(IC)는 전력 설계자들이 일반적으로 사용되고 있는 다양한 전력 토폴로지에서 GaN FET의 이점을 실현할 수 있도록 도와주어 이러한 문제점을 해결해준다.
강화 모드 GaN FET의 엄격한 게이트 구동 요건을 충족하기 위해서는 다수의 디스크리트 디바이스를 사용해야 하고 회로 및 PCB를 설계하는 데 상당한 노력이 필요하다. 내셔널의 LM5113 완전 통합 강화 모드 GaN FET 드라이버는 회로 및 PCB 설계에 필요한 노력을 크게 줄여주고, 업계 최고의 전력 밀도와 효율성을 제공한다.
LM5113은 eGaN FET와 결합 시 같은 성능의 MOSFET 기반 설계와 비교하여 PCB 면적을 크게 줄이고 전력밀도를 높여준다.
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