도시바 코퍼레이션(Toshiba Corporation)산하 스토리지/디바이스 솔루션 컴퍼니(Storage & Electronic Devices Solutions Company)가 본사의 현 제품보다 서지 순전류(IFSM)를 70% 개선한 2세대 650V 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)를 출시했다고 발표했다. 8개 SiC 쇼트키 배리어 다이오드의 새 제품 라인업 출하를 시작한다.
.jpg "201701013(3).jpg")
새로운 SiC 쇼트키 배리어 다이오드는 도시바의 2세대 SiC 프로세스로 제작됐으며 1세대 제품보다 서지 순전류(surge forward current)를 70% 개선했으며 동시에 ‘RON * Qc’의 스위칭 손실 지수(switching loss index)를 약 30% 감축함으로써 효율적인 전력효율교정(power factor correction)에 사용하기에 적합하다.
새 제품은 4A, 6A, 8A, 10A의 4개 정격 전류에 사용되며 비절연 ‘TO-220-2L’ 패키지 또는 절연 ‘TO-220F-2L’ 패키지에도 사용가능하다. 이 제품은 4K 대형 스크린 LCD TV, 프로젝터, 다기능 복사기 같은 디바이스와 이동통신 기지국과 PC 서버 같은 산업 디바이스에서 파워 서플라이의 효율성을 개선하는 데 기여할 수 있다.
<저작권자(c)스마트앤컴퍼니. 무단전재-재배포금지>
