어플라이드머티어리얼즈는 반도체 업계에서 가장 진보된 단일 웨이퍼, 고전류 이온 주입 시스템인 새로운 어플라이드 베리안 VIISta™ Trident™ 시스템을 선보인다고 밝혔다.
기존의 경우 반도체 제조 공정 시 미세한 불순물 원자를 첨가함으로써 칩에 전기적 특성을 부여했다면, 어플라이드머티어리얼즈가 이번에 선보인 베리안 VIISta™ Trident™ 시스템은 20나노미터 노드에서 고성능, 전력 효율적인 로직 칩 제조 시 필요한 수율에 도달할 수 있도록 하는 이온 주입기이다.
20나노미터 노드에서 도펀트의 활성화를 최적화하고 SDE의 접합부 결함을 억제하는 것은 고성능 트랜지스터의 스케일링을 위해 풀어야 할 과제였다. 도펀트의 농도 및 깊이를 정확히 맞추는 베리안 VIISta™ Trident™ 시스템 특유의 기능은 첨단 기기의 기능을 최적화하는 동시에 누설 전류를 제어하고 가변성을 감소시킨다.
어플라이드머티어리얼즈의 베리안 사업 부문 총괄 책임자 겸 부사장인 밥 할리데이는 “전형적인 첨단 로직 칩은 동시 주입 및 기기 성능을 좌우하는 정밀 물질변형 응용기술을 포함해 60개 이상의 주입 공정을 필요로 한다. 이번에 선보인 VIISta™ Trident™ 기술의 정밀성은 제조업체들이 최첨단 디자인 하에서 수익성 있는 수율에 도달할 수 있도록 돕는 필수 요소이다.”라고 전하며, “이렇듯 뛰어난 설비 성능은 수많은 제조업체에 최첨단 트랜지스터 제조 솔루션을 공급하는 어플라이드머티어리얼즈의 입지를 보다 강화할 것”이라고 덧붙였다.
새로운 VIISta™ Trident™ 시스템의 우수한 성능은 저에너지 기능 향상을 위해 고안된 자사 고유의 듀얼-마그넷 리본 빔 구조를 중심으로 한다. 이 시스템의 에너지 퓨리티 모듈은 중요한 트랜지스터 채널을 훼손하고 누설 전류 및 성능 저하를 유도할 가능성이 있는 고전력 전하를 거의 제거할 수 있다.
또한 이 시스템에 적용된 통합 극저온 기술은 트랜지스터 정합을 위한 우수한 공정 제어를 제공하고, 영하 100°C 이하에서의 생산 이온 주입을 가능하게 한다. 이 기술은 특히 온 칩 캐시 메모리를 위한 임베디드 SRAM 셀 제조에 필수적이다. 각각의 셀을 구성하는 여섯 개 혹은 여덟 개의 트랜지스터는 모바일 컴퓨팅에 필요한 저구동전압에서 안정적인 스위칭이 가능하도록 정확히 일치되어야 한다.
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