스위칭 속도 향상, 스위칭 손실 절감, 높은 전력 밀도, 강화된 열 성능 제공...시스템 수준 전력 솔루션 구현
온세미(나스닥: ON)는 새로운 GaNEXUSTM 질화갈륨(GaN) 전력 제품군을 선보인다고 밝혔다. 온세미는 이번 출시와 함께 40V~650V 전압 범위의 GaNEXUS FET와 GaNEXUS 스마트 650V GaN FET(GaNEXUS Smart 650V GaN FET)의 초기 샘플 공급을 시작했다. 이 제품군은 AI 데이터센터 전원 공급, 48V 시스템, 로보틱스, 산업 자동화, 에너지 인프라 등 전력 소모가 높은 애플리케이션에 적합하다는 설명이다.
온세미의 지능형 전력 포트폴리오에 GaNEXUS가 추가됨에 따라, 온세미는 다양한 애플리케이션과 전압 영역, 성능 요구사항에 최적화된 전력 솔루션을 더욱 다각적으로 제공하게 됐다. 특히 GaNEXUS는 실리콘과 엘리트 실리콘카바이드(EliteSiC) 기술과 함께 온세미의 폭넓은 전력 포트폴리오를 구성하며, 고객이 전력 공급 아키텍처 전반에서 성능과 효율성, 열 특성, 총 시스템 비용을 보다 유연하게 최적화할 수 있도록 지원한다고 업체 측은 전했다.
AI 인프라, 전기화, 산업 자동화, 에너지 시스템의 확산으로 더욱 효율적이고 소형화된 전력 아키텍처에 대한 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 이에 설계자들은 에너지 소비, 열 관리, 시스템 크기 측면에서 점점 더 큰 과제에 직면하고 있다. 특히 AI 데이터센터는 2030년까지 미국 전체 전력 생산량의 최대 9%를 소비할 것으로 예상되며, 전력과 냉각 비용은 데이터센터 전체 운영 비용의 최대 40%를 차지할 것으로 전망된다.
업체 측에 따르면, GaNEXUS는 기존 실리콘 기반 솔루션 대비 더 빠른 스위칭 속도와 낮은 스위칭 손실, 높은 전력 밀도, 향상된 열 성능을 제공해 이러한 과제를 해결한다. 이를 통해 고객은 자기 부품(magnetics) 및 냉각 시스템의 크기를 줄이는 동시에 전체 시스템의 효율성과 응답성을 높이고 시스템 비용을 절감할 수 있다는 것이다. 이는 AI 데이터센터 전력 공급, 전기차 충전부터 로보틱스, 산업용 전력 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에서 활용될 수 있다.
온세미 GaN 사업부 부사장인 앙투안 잘라베르(Antoine Jalabert)는 “온세미의 GaNEXUS 포트폴리오는 전력 시스템 설계를 위한 새로운 아키텍처 구현을 가능하게 한다”며, “고객들이 더 작은 공간에서 더 높은 전력을 요구함에 따라, 엔지니어는 기존 전력 아키텍처의 한계를 극복할 수 있는 한층 높은 설계 유연성을 확보할 수 있다”라고 말했다.
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