6A GaN 트랜지스터·게이트 드라이버 통합…최대 2MHz 스위칭 지원
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 최대 정격 전류 6A의 650V 인핸스먼트 모드(Enhancement-mode) GaN 트랜지스터를 탑재한 ‘MasterGaN7’을 출시했다고 10월 28일 밝혔다.
MasterGaN7은 ST의 MasterGaN 통합 트랜지스터·드라이버 제품군에 추가된 디바이스다. 전원 어댑터, 충전기, 산업용 조명 장비, 태양광 마이크로인버터 등에서 효율성과 전력 밀도를 높일 수 있도록 설계됐다.
신제품은 고전압·고주파 게이트 드라이버와 하프 브리지 구성으로 연결된 650V GaN 트랜지스터 2개를 통합했다. 다른 MasterGaN 디바이스와 핀 배열 및 풋프린트가 동일한 QFN 패키지를 사용한다.
최신 세대 GaN 기술을 적용해 속도와 효율성을 높였으며, 게이트 구동 전압을 안정화하는 LDO(Low Drop-Out) 레귤레이터를 도입했다. 초고속 웨이크업 기능을 갖춘 핀 제어 셧다운 모드도 제공해 무부하 전력 소모를 최소화할 수 있도록 했다.
MasterGaN7은 45ns의 전파 지연 시간과 초고속 웨이크업 시간, 짧은 최소 온타임을 바탕으로 최대 2MHz의 스위칭 주파수로 동작한다. 소형 외부 자기 소자와 수동 회로 부품을 사용해 회로를 구성할 수 있으며, 하이사이드 드라이버에 전원을 공급하는 부트스트랩 다이오드도 내장했다. ST는 이러한 구성을 통해 풋프린트와 부품원가(BOM)를 줄이고 전력 밀도를 높일 수 있다고 설명했다.
MasterGaN 제품군은 액티브 클램프 플라이백, 비대칭 하프 브리지, 인버스 벅, 공진형 LLC, 역률 보정(PFC) 컨버터와 DC-AC 인버터 등 다양한 토폴로지를 지원한다. 교차 도통을 방지하는 인터로킹과 저전압 차단(UVLO), 과열 차단 등의 보호 기능도 갖췄다. 높은 집적도를 통해 시스템 풋프린트와 부품원가를 줄이고 회로 레이아웃을 간소화할 수 있다는 것이 회사 측 설명이다.
MasterGaN7의 동작 온도 범위는 -40°C~125°C다. 현재 9mm × 9mm QFN 패키지로 생산 중이며, 1,000개 주문 기준 개당 가격은 3.83달러부터다.
ST는 하드웨어 구성과 개발 착수를 지원하는 EVLMG7 평가 보드도 제공한다. 평가 보드는 ST eStore에서 구매할 수 있다.
<저작권자(c)스마트앤컴퍼니. 무단전재-재배포금지>
