750V 내압 SiC MOSFET ‘SCT4013DLL’ 채용...AI 서버 고전압·고전력화 대응해 안정성·전력 효율 강화
로옴(ROHM)의 750V 내압 SiC MOSFET가 AI 서버 전원의 BBU(배터리 백업 유닛)에 채용됐다.
업체 측에 따르면, 생성형 AI 확산으로 AI 서버의 전력 소비와 고전압화가 빠르게 진행되는 가운데, 차세대 HVDC(초고압 직류 송전) 기반 전원 시스템 구현을 위한 핵심 파워 디바이스로 적용됐다는 것이다.
최근 생성형 AI 확산과 함께 GPU 성능 경쟁이 가속화되면서 데이터센터의 전력 소비도 급증하고 있다. 이에 따라 송전 손실을 줄이고 전력 효율을 높이기 위한 HVDC 아키텍처 도입이 확대되고 있다.
특히 대전력·고전압 환경에서는 정전이나 순간 전압 강하와 같은 이상 상황 발생 시 시스템과 데이터를 안정적으로 보호할 수 있는 BBU(Battery Backup Unit)와 CU(Capacitor Unit)의 중요성이 커지고 있다. 이들 장치는 서버 랙 단위에서 전력을 안정적으로 보상하는 역할을 수행한다.
업체 측에 따르면, 이번에 채용된 제품은 750V 내압 SiC MOSFET ‘SCT4013DLL’로, AI 서버용 ±400V 전력 공급 아키텍처의 전원부에 적용됐다. 해당 제품은 SiC 특성을 기반으로 최대 Junction 온도(Tj) 175℃의 높은 내열 성능을 지원해, 고전력 밀도와 고전압 환경으로 발열이 증가하는 BBU에서도 안정적인 동작이 가능하다는 설명이다.
또한 차세대 800VDC 전력 공급 아키텍처에서는 BBU 내 배터리팩 공급 전압이 약 560V 수준까지 높아질 것으로 예상되는 만큼, 750V 내압 SiC MOSFET 적용이 가능하다고 업체 측은 전했다.
로옴은 차세대 AI 서버용 HVDC 전원 시스템에서는 이상 상황 발생 시 고전압·대전류를 빠르고 효율적으로 제어할 수 있는 백업 시스템이 필수적이라고 밝혔다. 이에 따라 고내압·저손실·고온 내성을 갖춘 SiC 파워 디바이스가 핵심 전력 제어 부품으로 주목받고 있다는 것이다.
로옴은 앞으로도 AI 서버 및 데이터센터 시장 확대에 대응해 SiC, GaN, 실리콘 기반 파워 디바이스 개발과 공급을 강화할 계획이다. 또한 아날로그 IC 등을 결합한 전력 솔루션 제안을 통해 전력 효율 향상과 지속가능한 사회 구현에 기여해 나가겠다고 전했다.
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