세계적인 반도체 기업인 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 GaN 트랜지스터를 지원하는 첫 갈바닉 절연 게이트 드라이버인 STGAP2GS를 출시했다고 발표했다.
이 최신 드라이버는 견고한 안전성과 전기적 보호 기능을 제공하면서, 와이드 밴드갭의 효율성이 요구되는 다양한 애플리케이션에서 부품 크기를 줄이고 원가를 절감한다는 것이 ST의 주장이다.
ST 측은 이 단일 채널 드라이버가 최대 1,200V, 또는 STGAP2GSN 협폭 버전의 경우 1,700V의 고전압 레일에 연결 가능하며, 최대 15V의 게이트 구동 전압을 제공한다고 설명했다. 또한, GaN 트랜지스터에 최대 3A의 게이트 전류를 싱킹 및 소싱 가능하기 때문에 높은 동작 주파수에서도 정밀한 스위칭 전환이 가능하다고 말했다.
ST 측은 "STGAP2GS가 전파 지연을 최소화하여 45ns의 빠른 동적 응답을 보장하며, 전체 온도 범위에서 ±100V/ns의 dV/dt 과도 내성을 제공해 원치 않는 트랜지스터 게이트 변경을 방지한다"라고 덧붙였다.
ST는 STGAP2GS는 광학 절연을 제공하는 데 구성요소가 따로 필요하지 않기 때문에 다양한 컨슈머 및 산업용 애플리케이션에서 효율적이고 견고한 GaN 기술을 손쉽게 적용할 수 있다며, 주요 애플리케이션으로는 컴퓨터 서버의 전원공급장치, 공장 자동화 장비, 모터 드라이버, 태양광 및 풍력 발전 시스템, 가전제품, 가정용 팬, 무선 충전기 등이 있다고 말했다.
마지막으로, ST는 STGAP2GS가 갈바닉 절연 기능의 통합 외에도, GaN 기술에 최적화된 열 차단 및 UVLO(Under-Voltage Lockout) 등의 시스템 보호 기능을 내장함으로써, 신뢰성과 견고성을 보장한다고 덧붙였다.
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