OptiMOS™ 7, 전도·스위칭 손실 최대 35% 개선 ··· 800V DC 및 48V 전력 아키텍처 지원
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 3일(현지시간) AI 서버와 데이터센터, 통신 인프라의 전력 변환 효율과 전력 밀도를 높이기 위한 40V 스위칭 최적화 파워 MOSFET 제품군 ‘OptiMOS™ 7’을 출시했다.
고주파 DC-DC 전력 변환에 적합하도록 설계된 이 제품은 전도 손실과 스위칭 손실을 동시에 줄여 공간이 제한된 시스템의 전력 효율을 높여준다.
주요 적용 분야는 차세대 800V DC 전력 아키텍처의 고전압 중간 버스 컨버터에서 저전압 2차 측 전력 변환 단계와 기존 48V 전력 아키텍처의 중간 버스 컨버터이며, 적합한 토폴로지에서 1MHz 이상의 스위칭 주파수를 지원한다.
OptiMOS 7 40V 제품군은 온저항(RDS(on)), 출력 전하(Qoss), 게이트 전하(Qg)의 균형을 최적화해 전도 손실과 스위칭 손실을 모두 해결했다. 인피니언이 OptiMOS 6 제품군의 기존 제품(IQE013N04LM6CGSC)과 OptiMOS 7의 소스다운(Source-down) 제품(IQE010N04LM7CGSC)을 비교한 결과, 게이트-소스 전압(VGS) 4.5V 조건에서 최대 온저항은 33% 감소했다. 출력 전하와 게이트 전하 관련 성능 지표도 각각 최대 35% 개선됐다.
5V 게이트 구동에 최적화된 이 제품은 질화갈륨(GaN) 전력반도체에 사용되는 게이트 구동 생태계를 지원한다. 접합 온도는 최대 175℃지 지원한다. 이를 통해 고주파 스위칭과 높은 전력 밀도가 요구되는 AI 서버 전원 시스템의 설계 유연성을 높일 수 있다.
패키지 구성은 소스다운 방식과 양면 냉각(Dual-side cooling) 옵션을 제공해 공간이 제한된 시스템의 회로 배치와 열관리를 지원한다. IQE010N04LM7CG 및 IQE010N04LM7CGSC는 3.3×3.3mm PQFN 소스다운 센터 게이트 패키지로 제공되며, 오버몰드 및 양면 냉각 옵션을 선택할 수 있다. 두 제품의 최대 온저항은 게이트-소스 전압 10V 조건에서 1.0mΩ이다.
이와 함께 5×6mm PQFN 드레인다운(Drain-down) 패키지 제품 3종도 포함되어 있다. ISCH65N04LM7SC, ISCH69N04LM7SC, ISC011N04LM7SC의 최대 온저항은 각각 0.65mΩ, 0.69mΩ, 1.1mΩ이며, 모두 양면 냉각을 지원한다.
리차드 쿤칙(Richard Kuncic) 인피니언 파워 스위치 사업부 총괄은 “OptiMOS 7 40V 제품군이 전도 손실과 스위칭 손실을 동시에 줄여 AI 서버와 같이 제한된 공간에서 전력 밀도를 높일 수 있도록 설계됐다”며 “이 제품은 차세대 800V DC 아키텍처뿐 아니라 현재의 48V 설계에도 적용할 수 있어 고객이 원하는 속도로 차세대 아키텍처로 전환할 수 있도록 지원한다”고 말했다.
OptiMOS 7 40V 제품군은 현재 양산 중이며 공급이 가능하다.
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