마우저, 온세미의 새로운 가넥서스 GaN FET 공급한다

2026-09-10 신윤오 기자, yoshin@elec4.co.kr

고속 스위칭과 낮은 게이트 및 출력 전하, 향상된 효율성 제공... 더 높은 동작 주파수와 향상된 전력 밀도 구현

마우저 일렉트로닉스(Mouser Electronics, Inc.)는 온세미(onsemi)의 새로운 가넥서스(GaNEXUS™) GaN FET(gallium nitride, field-effect transistor)를 공급한다고 밝혔다.

가넥서스 GaN FET는 GaN의 와이드 밴드갭 특성을 활용하여 고속 스위칭과 낮은 게이트 및 출력 전하, 향상된 효율성을 제공하며, AI와 데이터센터, 산업 자동화, 로보틱스 및 에너지 인프라 애플리케이션 등에 적합하다고 업체 측은 전했다.

업체 측에 따르면, 마우저가 공급하는 온세미의 가넥서스 GaN FET는 저전압, 중전압, 고전압 및 초고전압 범위의 전력 변환 애플리케이션에서 더 높은 동작 주파수와 향상된 전력 밀도를 구현하고, 자기 부품의 크기를 줄일 수 있도록 지원한다.

인핸스먼트 모드(enhancement-mode) 방식의 디스크리트 GaN HEMT(high-electron-mobility transistor)인 가넥서스 제품군은 40V ~ 650V의 전압 범위를 제공하며, 신뢰성을 향상시키고 시스템 통합을 간소화할 수 있도록 보호 기능이 통합된 650V 가넥서스 스마트 GaN FET도 포함하고 있다.

가넥서스 솔루션은 최신 전력 시스템의 에너지 변환 및 관리 방식을 개선할 수 있도록 설계되었으며, 설계 엔지니어가 설계 복잡성을 줄이고 개발 및 인증을 가속화하는 것은 물론, 열 관리 및 냉각 요건을 완화하고, 전체 전력 분배망에 걸쳐 성능을 최적화할 수 있도록 지원한다는 것이다.

가넥서스는 AI 서버, 48V 중간 버스 컨버터(intermediate bus converter, IBC), 배터리 백업 유닛(battery backup unit, BBU), 모터 드라이브 등 저전압 및 중전압 시스템에서 자기 부품의 크기를 줄이는 동시에, 더 높은 전력 밀도와 향상된 효율, 우수한 열 성능 및 제어 안정성을 구현하고, 스위칭 손실을 줄일 수 있도록 지원한다.

또한, AI 파워 셸프(power shelf), 고전압 DC-DC 변환, PFC 및 LLC 전력단과 같은 고전압 애플리케이션에서는 고주파 AC-DC 및 공진 전력단의 자기 부품 크기를 최대 60%까지 줄이고, PFC와 LLC 및 고전압(HV) DC-DC 아키텍처의 전력 밀도를 높이는 동시에, 열 관리 및 운영 비용을 절감할 수 있다는 설명이다.