디바이스 구조 개선하며 고전압에 대응, 낮은 손실과 높은 단락 내량 양립한 제4세대 IGBT 개발
로옴(ROHM) 주식회사는 차량용 전동 컴프레서 및 HV 히터, 산업기기용 인버터 등에 최적인 650V 내압 제4세대 IGBT를 개발했다고 밝혔다.
업체 측에 따르면, 해당 제품은 차량용 650V 클래스 제품으로서 업계 최고 수준의 낮은 도통손실 VCE(sat)＝1.55V를 실현함과 동시에 높은 단락 내량을 실현하여 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거한다.
또한, 프로세스 및 외부 구조를 포함한 디바이스 구조를 개선함으로써 전류 밀도를 향상시킴과 동시에 도통손실과 스위칭 손실을 저감했다. 이와 함께 저손실화와 트레이드 오프 관계인 높은 단락 내량 (Tj＝25℃ 시 7μs)을 확보하여, 어플리케이션의 고효율화와 신뢰성 향상에 기여한다고 업체 측은 전했다.
라인업으로는 TO-247N 패키지 「RGAxxTS65HR / RGAxxTS65EHR」 12기종과, 베어칩 「SG83xxWN」 10기종을 전개했다. 또한, TO-247-4L 패키지 「RGAxxTR65HR / RGAxxTR65EHR」 12기종에 대해서도 개발을 추진하고 있다.
앞으로도 로옴은 TO-247N 패키지의 기종을 한층 더 확충함과 동시에 TO-263L 패키지 및 상면 방열 (TSC : Top-Side Cooling) 패키지를 채용하여 표면실장이 가능한 소형 IGBT 제품을 개발할 예정이라고 업체 측은 전했다. 고성능 IGBT 제품의 라인업 확충을 전개하여, 자동차 및 산업기기 어플리케이션의 고효율 구동과 소형화에 기여해 나갈 것이라는 설명이다.
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