2300V CoolSiC™ 기반 XHP™ 2 전력 모듈, 최대 1500V DC 링크 지원… 고전압 에너지 시스템 효율·전력 밀도 향상
인피니언 테크놀로지스(한국 대표이사 이승수)가 CoolSiC™ 2300V MOSFET를 적용한 XHP™ 2 전력 모듈을 공개했다. 업체 측에 따르면, 새롭게 공개된 2300V 디바이스는 최대 1500V DC 링크 전압을 지원해 시스템 고전압화 추세에 대응하도록 설계됐다.
신제품은 1mΩ~2mΩ의 온저항(RDS(on))과 4kV 또는 6kV 절연 전압 옵션으로 제공된다. 실리콘 카바이드(SiC) 기술을 적용해 기존 실리콘 기반 솔루션 대비 스위칭 손실과 도통 손실을 줄였으며, 이를 통해 인버터 효율과 전력 밀도를 높일 수 있도록 했다.
또한 더 높은 스위칭 주파수에서도 동작이 가능해 고조파 감소와 시스템 소형화에도 기여할 수 있다는 설명이다. 인피니언은 XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 모듈이 풍력, 태양광, 배터리 에너지 저장 시스템(BESS) 등 신재생에너지 애플리케이션에 적합하다고 밝혔다.
XHP™ 2 패키지는 대형 전력 변환기에서 병렬 구성이 용이한 대칭 스위칭 구조를 적용했으며, 애플리케이션 요구에 따라 효율과 성능 간 균형을 조정할 수 있는 표준화 플랫폼으로 설계됐다.
모든 제품에는 인피니언의 .XT 인터커넥션 기술이 적용돼 신뢰성과 수명을 높였으며, 사전 도포된 열전도 인터페이스 소재(TIM) 옵션도 제공한다. 이를 통해 조립 과정을 단순화하고 일관된 열 성능을 지원한다는 설명이다.
업체 측은 해당 기술이 실제 시스템 수준의 성능 향상으로 이어졌다고 밝혔다. 풍력 발전 데모 시스템에서는 300kW/L의 전력 밀도를 구현했으며, 배터리 저장 시스템 테스트에서는 반도체 손실이 출력 전력 대비 0.7% 미만 수준으로 나타났다고 설명했다.
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