자동차 전력 분배 애플리케이션의 에너지 및 PCB 면적 절감 지원...배터리 관리 최적화
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 새로운 Smart STripFET F8 기술을 적용한 저저항 MOSFET 시리즈를 공개했다. 업체 측에 따르면, 이번 제품은 최적의 전도 성능과 소형 다이 크기를 구현하도록 설계됐으며, 자동차 전력 분배 및 배터리 관리 등 공간 제약이 있는 애플리케이션에 적합하다.
신제품 시리즈의 첫 번째 제품인 STL059N4S8AG는 0.59mΩ의 RDS(on)을 갖춘 40V/420A N-채널 MOSFET으로, PowerFLAT 5x6 패키지로 제공된다.
이 디바이스는 컴팩트한 크기로 PCB 공간을 절감하고, 높은 열전도율과 효율적인 방열 성능을 통해 신뢰성 요구를 충족하도록 설계됐다. 최대 동작 온도는 175°C까지 지원한다는 설명이다. 또한 웨터블 플랭크(Wettable Flanks) 기반 패키지를 적용해 자동차 조립 공정에서 광학 검사가 용이하며, AEC-Q101 인증을 획득했다.
Smart STripFET F8 기술은 기존 구조를 기반으로 개선된 트렌치 게이트 구조를 적용해 온 상태(on-state) 성능과 실리콘 면적 효율을 향상시켰다고 업체 측은 전했다. 해당 MOSFET은 전도 손실 최소화가 중요한 애플리케이션에 최적화돼 있으며, 특히 고전류 전력 분배 환경에 적합하다. 또한 STi²Fuse VIPower 게이트 드라이버와 결합 시 회로 차단 기능을 통해 PCB 트레이스, 커넥터 및 배선 보호를 지원한다.
자동차 애플리케이션에서는 전력 손실을 줄이고 배터리 에너지를 보다 효율적으로 전달해 주행 거리 향상에 기여한다. 배터리 관리 시스템(BMS)에서도 낮은 RDS(on)을 통해 충전 및 방전 효율을 높일 수 있다는 설명이다.
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