로옴, 소자 구조 개선 및 제조 프로세스 최적화로 고온 시 ON 저항 30% 저감
2026-04-22 신윤오 기자, yoshin@elec4.co.kr
제5세대 SiC MOSFET 개발...xEV·AI 서버 전원 최적화로 고효율·소형화 동시 구현
로옴(ROHM) 주식회사는 xEV(전기자동차)용 트랙션 인버터를 비롯한 차량용 전동 파워트레인 시스템 및 AI 서버 전원, 데이터센터 등 산업기기용 전원에 최적화된 최신 EcoSiC™ ‘제5세대 SiC MOSFET’을 개발했다고 밝혔다.
업체 측에 따르면, 로옴은 제5세대 SiC MOSFET 개발에 있어 소자 구조 개선과 제조 프로세스 최적화를 통해 파워 일렉트로닉스 회로의 실제 사용 환경에서 중요한 고온 동작 시(Tj=175℃) ON 저항치를 기존 제4세대 제품 대비 약 30% 저감했다.
이에 따라 xEV용 트랙션 인버터 등 고온 환경에서 사용되는 애플리케이션에서 유닛의 소형화 및 고출력화에 기여할 것으로 기대된다고 업체 측은 전했다.
또한 제5세대 SiC MOSFET는 2025년부터 베어칩 샘플 제공을 시작했으며, 2026년 3월 개발을 완료했다. 2026년 7월부터는 디스크리트 및 모듈 제품 샘플 제공도 개시할 예정이다. 로옴은 라인업 확대와 함께 설계 툴을 강화해 애플리케이션 설계 지원 체제를 확대할 계획이라는 설명이다.
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