로옴 GaN 디바이스 개발 기술과 TSMC 최첨단 GaN-on-Silicon 프로세스 융합

로옴(ROHM) 주식회사는 TSMC와 오토모티브용 GaN 파워 디바이스의 개발과 양산에 관한 전략적 파트너십을 체결했다.

이 파트너십을 바탕으로, 로옴의 GaN 디바이스 개발 기술과 TSMC의 업계 최첨단 GaN-on-Silicon 프로세스 기술을 융합함으로써, 고전압 및 고주파 특성이 우수한 파워 디바이스에 대한 수요 증가에 대응해 나갈 방침이다. 



GaN 파워 디바이스는 현재 AC 어댑터 및 서버 전원 등의 민생기기 및 산업기기에서 사용되고 있다. TSMC는 전기자동차(EV)의 온보드 차저(OBC)나 인버터 등의 오토모티브 용도에서 앞으로의 환경 효과를 전망하여 한층 더 GaN 테크놀로지를 강화하고 있다. 

이번 파트너십은 로옴과 TSMC의 GaN 파워 디바이스 분야에서의 협력 역사를 바탕으로 하고 있다. 2023년에는 로옴이 TSMC의 650V GaN HEMT 프로세스를 채용하여 로옴의 EcoGaN™ 시리즈 일부로서 Delta Electronics, Inc.의 브랜드인 Innergie의 45W AC 어댑터(C4 Duo)를 비롯하여, 민생기기 및 산업기기에서 활용되고 있다. 

로옴 주식회사의 Katsumi Azuma 이사 전무 집행 임원은 "고주파 동작이 가능한 GaN 디바이스는 소형 및 저전력으로 탈탄소 사회의 실현에 기여할 수 있어, 크게 주목받고 있습니다. 이를 사회에 보급하기 위해서는 신뢰할 수 있는 파트너가 중요하기 때문에, 세계 최고의 최첨단 제조 기술을 보유한 TSMC와 협력할 수 있어 매우 기쁘게 생각합니다"라며, "파트너십과 더불어 GaN의 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 제어 IC를 포함하여 사용이 편리한 GaN 솔루션을 제공함으로써 오토모티브 분야에서 GaN의 보급을 촉진해 나갈 것입니다"라고 말했다.

TSMC의 Chien-Hsin Lee 수석 디렉터(Specialty Technology Business Development)는 "GaN 프로세스 기술의 차세대화를 추진함에 있어서, TSMC와 로옴은 오토모티브 어플리케이션용 GaN 파워 디바이스의 개발과 제조로 협력 범위를 확대하였습니다. TSMC의 고도 반도체 제조 기술과 로옴의 파워 디바이스 설계 기술을 융합함으로써 GaN 기술의 한계를 뛰어넘어 전기자동차(EV)로의 탑재를 추진해 나가고자 합니다"라고 말했다.