2034년까지 약 11억 유로 투자…2027년 말까지 생산 개시 예정
인피니언 테크놀로지스가 오스트리아 빌라흐에 세계 최초의 300mm 웨이퍼 기반 GaN(질화갈륨) 전력반도체 양산 시설을 구축한다고 10월 28일 밝혔다.
인피니언은 이번 프로젝트를 위해 2034년까지 빌라흐의 기존 클린룸 시설에 약 11억 유로를 투자한다. 기존 인프라와 업그레이드된 시설을 활용해 제조 역량을 효율적으로 확대하고, 2027년 말까지 생산을 시작할 계획이다.
이번 투자는 고성능 전력 공급 솔루션 수요 증가에 대응하기 위한 것이다. GaN은 AI 데이터센터, 에너지 인프라, e-모빌리티, 로보틱스, 소비자 전자기기 등 다양한 애플리케이션에서 전력 효율을 높일 수 있는 반도체 소재다.
인피니언은 2년 전 업계 최초로 300mm GaN 웨이퍼 가공에 성공했다. 회사에 따르면 300mm 웨이퍼는 200mm 웨이퍼보다 직경이 커 웨이퍼당 생산할 수 있는 칩 수가 2.3배에 달한다. 이를 통해 생산 효율을 높일 수 있으며, 이번 투자를 통해 해당 기술을 고객 공급용 양산 시설에 적용할 예정이다.
요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 “300mm 웨이퍼 기반 양산 체제를 구축함으로써 인피니언은 GaN 전력전자를 세계 최초로 대량 생산하는 기업이 될 것이다. 이를 통해 AI, 에너지 인프라, e-모빌리티, 로보틱스 등 다양한 핵심 애플리케이션에 GaN이 폭넓게 적용될 수 있는 기반을 마련할 것이다. 이번 최첨단 제조 시설은 인피니언의 혁신 리더십을 고객에게 직접적인 혜택으로 연결한다”고 말했다.
이번 투자는 유럽 반도체법(European Chips Act)에 따라 지원된다. 유럽연합 집행위원회는 3억1,900만 유로 규모의 국가 지원을 승인했다.
GaN은 전력을 효율적으로 스위칭하고 변환해 에너지 손실과 발열을 줄이고, 더 작고 강력하며 에너지 효율적인 전자 시스템을 구현할 수 있는 소재다. 시장조사업체 욜그룹(Yole Group)은 GaN 전력반도체 시장이 2025년부터 2031년까지 연평균 약 35% 성장해 2031년 약 35억 달러 규모에 이를 것으로 전망했다.
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