액티브 밀러 클램프가 내장된 3A 드라이버, 낮은 게이트 구동 전류가 필요한 회로를 위해 효율성과 경제성 높여
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 강화 갈바닉 절연 기능을 갖춘 고신뢰성 STGAP3S 게이트 드라이버 제품군을 확장하고, 낮은 게이트 구동 전류가 필요한 회로를 위해 효율성과 경제성을 높인 3A 시리즈를 새롭게 출시했다.
새로운 STGAP3S3S는 SiC(Silicon Carbide) MOSFET에 최적화되어 있으며, STGAP3S3IF는 IGBT에 적합하다.
모든 STGAP3S 게이트 드라이버는 역률 보정(Power Factor Correction, PFC), 전원공급장치, DC/DC 컨버터 및 인버터에서 최대 1,200V의 고전압 레일을 지원한다. UL 1577과 IEC 60747-17을 포함한 국제 안전 및 절연 인증들은 고전압에서 견고한 절연, 안전한 작동, 그리고 신뢰할 수 있는 장기적 성능을 입증한다. 이 제품군은 충전소, 에너지 저장 시스템(Energy Storage System, ESS), 태양광 인버터를 비롯해 지게차와 같은 산업용 전기차, 인덕션 가열 장비, 범용 드라이브, 펌프 및 팬 등 다양한 애플리케이션에 활용된다.
ST의 최첨단 강화 갈바닉 절연 기술은 최대 9.6kV의 과도 전압으로부터 전력단 회로를 보호하고, 최대 200V/ns의 공통 모드 과도 내성(Common Mode Transient Immunity, CMTI)을 보장한다. 이 제품군은 최대 10A, 6A 및 새롭게 추가된 3A의 싱크/소스 전류를 제공하는 3가지 시리즈로 구성되며, 각 시리즈는 IGBT 및 SiC MOSFET 구동에 최적화된 제품을 포함한다.
3A 구동 전류 용량을 갖춘 STGAP3S3 시리즈는 클램핑 MOSFET을 포함한 완전한 액티브 밀러 클램프를 통합해, 전력 스위치의 의도치 않은 유도 턴온을 방지하고 슛스루(Shoot-through) 전류 발생을 억제한다. MOSFET 통합으로 PCB 공간을 절약하고 회로 설계를 간소화해 부품원가(BOM)를 줄이는 한편, 최대 3A의 게이트 구동 전류에 적합한 클램핑 성능을 제공한다. 6A STGAP3S6 및 10A STGAP3SX 시리즈는 외부 MOSFET용 프리드라이버를 내장해, 높은 게이트 구동 전류를 사용하는 시스템에서 클램핑 속도를 더욱 유연하게 조정할 수 있다.
최대 9.6kV의 과도 전압으로부터 전력단 회로 보호
모든 STGAP3S 게이트 드라이버는 소프트 턴오프를 지원하는 불포화 검출(Desaturation Detection) 기능을 통해 전압 및 전류 변화를 안정적으로 제어하며, 과부하 또는 단락과 같은 위험한 조건에서도 전력 스위치를 보호한다. 6A 및 10A 드라이버와 SiC MOSFET용 새로운 3A 드라이버는 설계자가 외부 저항을 연결하여 소프트 턴오프 속도를 최적화할 수 있도록 지원한다.
모든 디바이스에는 불포화 보호, 저전압 차단(Undervoltage Lockout, UVLO), 과열 차단(Thermal Shutdown) 기능 활성화 여부를 나타내는 진단 핀이 탑재됐다. 또한, 음의 게이트 전압을 지원해 의도치 않은 턴온을 더욱 효과적으로 방지하고, 결함으로 인한 턴오프 시 디바이스를 보호하며, 정상적인 턴오프 전환 과정에서는 링잉(Ringing) 현상 없이 안정적인 스위칭을 보장한다.
최신 3A 모델을 포함해 STGAP3S 게이트 드라이버별로 평가 보드도 제공된다. EVLSTGAP3S3S와 EVLSTGAP3S3IF 평가 보드는 보호 기능이 사전 구성된 하프 브리지(Half-Bridge) 보드로, 개발 지원을 위한 테스트 포인트와 진단 LED를 갖췄다.
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