RS7P200BM, 소형 5×6mm 사이즈 추가
로옴(ROHM) 주식회사는 5060 사이즈(5.0mm×6.0mm) 패키지로, 업계 최고 수준의 SOA 내량을 실현한 100V 내압 파워 MOSFET (RS7P200BM)을 개발했다고 밝혔다.
AI 기술의 급격한 진화와 보급에 따라 생성 AI 및 고성능 GPU를 탑재한 서버의 안정적인 가동과 전력 효율 향상에 대한 요구가 높아지고 있다. 특히 핫스왑 회로에 있어서는 돌입전류나 과부하에 대응하여 안정적인 동작을 실현할 수 있는 높은 SOA 내량의 파워 MOSFET가 반드시 필요하다. 또한, 데이터 센터나 AI 서버의 경우, 저전력화를 배경으로 전력의 변환 효율이 우수한 48V 계통 전원으로의 이행이 가속화되어, 이에 대응하는 고내압 고효율 전원 회로의 구축이 과제로 대두되고 있다.
이 제품은 48V 계통 전원을 채용하는 AI 서버의 핫스왑 회로 및 배터리 보호가 필요한 산업기기 전원 등에 최적이라고 업체 측은 강조했다.
RS7P200BM은 로옴이 2025년 5월에 발매한 DFN8080-8S (8.0mm×8.0mm 사이즈) 패키지의 AI 서버용 파워 MOSFET (RY7P250BM)에 비해 한층 더 고밀도 실장이 가능한 소형 DFN5060-8S (5060 사이즈) 패키지를 채용했다.
신제품은 VDS=48V의 동작 조건에서 펄스 폭 10ms일 때 7.5A, 1ms일 때 25A라는 높은 SOA 내량을 확보함과 동시에, 트레이드 오프 관계인 낮은 ON 저항 (R
DS(on) 4.0mΩ (조건 : V
GS=10V, I
D=50A, Ta=25℃)을 실현했다. 이에 따라 통전 시의 발열을 억제하여 서버 전원의 고효율화와 냉각 부하 경감을 통해 전력 비용 삭감에도 기여한다.
앞으로도 로옴은 AI 서버를 비롯한 48V 계통 전원에 대응하는 제품 라인업을 지속적으로 확충하여 고효율 및 고신뢰성 솔루션을 제공함으로써 지속 가능한 ICT 인프라 구축과 저전력에 기여해 나갈 계획이다.
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