로옴, xEV 시스템 고전압화에도 대응하는 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 발표
  • 2024-11-12
  • 신윤오 기자, yoshin@elec4.co.kr

일반품 대비 약 1.3배의 연면 거리 확보. 수지 포팅을 통한 절연 처리 불필요

로옴(ROHM) 주식회사는 단자 간의 연면 거리를 연장하여 절연 내성을 향상시킨 표면 실장 타입 SiC 쇼트키 배리어 다이오드(이하, SBD)를 개발했다.

온보드 차저(OBC) 등 자동차기기용으로 SCS2xxxNHR 8개 기종을 구비하였으며, 2024년 12월부터는 FA 기기 및 PV 인버터 등 산업기기용으로 SCS2xxxN 8개 기종도 판매할 예정이다. 



이 제품은 기존 패키지의 하부에 배치된 센터 핀을 제거하고, 독자적인 형상을 채용한 로옴 오리지널 패키지를 채용하여, 연면 거리를 일반품의 약 1.3배에 해당하는 최소 5.1mm로 연장했다.

연면 거리를 길게 확보함으로써 단자 간의 트래킹(연면 방전)을 억제할 수 있어, 고전압 애플리케이션에서 기판에 디바이스를 표면 실장할 때, 수지 포팅을 통한 절연 처리가 필요하지 않다. 

내압은 650V와 1200V의 2종류를 구비하여, xEV (전동차)에서 널리 활용되는 400V 시스템뿐만 아니라, 향후 채용 확대가 예상되는 고전압의 시스템에도 사용 가능하다.

또한, TO-263 패키지의 일반품 및 기존품과 공통된 랜드 패턴으로 실장할 수 있어, 기존의 회로 기판에 대한 대체 사용이 가능하다. 자동차기기용 SCS2xxxNHR은 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거하고 있다. 

 

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