EliteSiC M3e MOSFET 출시, 턴오프 손실 최대 50%까지 줄여

온세미가 최신 세대 실리콘 카바이드(SiC) 기술 플랫폼인 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC) M3e MOSFET 도입을 발표했다.

온세미는 2030년까지 여러 세대를 추가로 출시할 계획도 공개했다. 기후 위기가 심화되고 전 세계 에너지 수요가 급증함에 따라, 정부와 산업계는 환경 영향을 줄이고 지속 가능한 미래를 보장하기 위한 야심찬 기후 목표를 설정하고 있다. 이러한 노력의 핵심은 탄소 배출을 줄이고 재생 가능 에너지 자원을 수용하기 위한 전기화(Electrification)로의 전환이다.
 

온세미 파워 솔루션 그룹 사장인 사이먼 키튼(Simon Keeton)은 "전기화의 미래는 첨단 전력 반도체에 달려 있다. 오늘날의 인프라는 전력 부문에서의 획기적인 혁신 없이는 더 많이 지능화되고 전기화된 모빌리티에 대한 전 세계의 수요를 따라갈 수 없다. 이는 전 세계의 전기화를 달성하고 기후 변화를 막기 위한 중요한 요소이다. 온세미는 2030년까지 SiC 기술 로드맵에서 전력 밀도를 크게 높이는 계획을 가지고 혁신의 속도를 높이고 있다. 이는 증가하는 에너지 수요를 충족시키고 세계적인 전기화 전환을 가능하게 할 것이다”고 말했다.

EliteSiC M3e MOSFET은 차세대 전기 시스템의 성능과 신뢰성을 킬로와트(Kw)당 더 낮은 비용으로 구현하여, 전기화 이니셔티브의 효과적인 적용에 영향을 미치는 근본적인 역할을 한다.

또한 더 높은 스위칭 주파수와 전압에서 작동하면서 전력 변환 손실을 최소화할 수 있는 이 플랫폼은 전기차 파워트레인, DC 고속 충전기, 태양광 인버터 및 에너지 저장 솔루션과 같은 다양한 자동차과 산업 애플리케이션에 필수적이다. EliteSiC M3e MOSFET은 지속 가능한 인공지능 엔진을 구동하는 기하급수적으로 증가하는 에너지 수요를 충족하기 위해 더 효율적이고 고출력의 데이터 센터로의 전환을 가능하게 할 것이다.

EliteSiC M3e MOSFET은 온세미의 고유한 설계 엔지니어링과 제조 역량을 통해 신뢰할 수 있고 현장에서 입증된 플라나 아키텍처에서 전도 및 스위칭 손실을 크게 줄일 수 있었다. 이는 이전 세대에 비해 전도 손실을 30%, 턴오프 손실을 최대 50%1까지 줄일 수 있다. 온세미는 SiC 플라나 MOFET의 수명을 연장하고 EliteSiC M3e기술로 업계 최고의 성능을 제공해 플랫폼의 견고성과 안정성을 보장하며 중요한 전기화 애플리케이션에서도 선호되는 선택이 될 것이다. 

또한 EliteSiC M3e MOSFET은 업계에서 가장 낮은 특정 온 저항(RSP)과 단락 회로 기능을 제공하는데, 이는 SiC볼륨을 지배하는 트랙션 인버터 시장에서 매우 중요하다. 온세미의 최첨단 디스크리트 및 전력 모듈로 패키징된 1200V M3e 다이는 이전 EliteSiC 기술보다 훨씬 더 많은 상 전류를 제공하여 동일한 트랙션 인버터 하우징에서 약 20% 더 많은 출력 전력을 제공한다. 반대로, 특정 전력 수준을 이제 20% 적은 SiC 제품으로 설계할 수 있게 되어 비용을 절감하면서 더 작고 가볍고 신뢰할 수 있는 시스템을 설계할 수 있게 된다.

또한, 온세미는 EliteSiC M3e 플랫폼과 함께 사용할 수 있는 게이트 드라이버, DC-DC 컨버터, e-퓨즈 등을 포함한 더 폭넓은 지능형 전력 기술 포트폴리오를 제공한다. 온세미의 최적화되고 공동 엔지니어링 된 전력 스위치, 드라이버 및 컨트롤러의 엔드 투 엔드(end-to-end) 조합은 시스템 통합을 통해 고급 기능을 가능하게 하고 전체 시스템 비용을 낮출 수도 있다.