미국 뉴멕시코 주에 첨단 300mm 제조 시설 설립 기반으로 타워의 미래 성장 지원 

인텔 파운드리 서비스(IFS)와 타워 세미컨덕터(Tower Semiconductor, 이하 타워)가 파운드리 협력을 발표했다.

이번 협력을 통해 인텔은 타워가 전 세계 고객을 지원할 수 있도록 파운드리 서비스와 300mm 제조 역량을 제공한다. 또한 타워는 美 뉴멕시코 주에 위치한 인텔 생산시설을 활용하게 된다.



타워는 뉴멕시코 시설에 설치할 장비 및 기타 고정 자산 확보 및 소유에 최대 3억달러를 투자할 예정이다. 이를 통해 타워의 미래 성장을 위한 월간 60만 장 이상의 포토레이어 처리 역량을 확보해 첨단 300mm 첨단 아날로그 프로세싱에 대한 예상 고객 수요를 지원할 수 있게 된다.

양사는 이번 계약을 통해 최고의 솔루션과 제조 역량을 바탕으로 파운드리 시장 내 영향력을 확대하기 위해 노력한다. 인텔은 뉴멕시코 주 리오란초(Rio Rancho) 소재 인텔 11X 팹(Fab)에서 타워의 65나노미터(nm) 전력 관리 BCD(bipolar-CMOS-DMOS) 플로우를 제조한다.

이번 협력은 IFS가 미국, 유럽, 이스라엘 및 아시아를 포함한 인텔의 전 세계 공장 네트워크 전반에 걸친 제조 역량을 활용할 수 있는 방안을 제시한다. 인텔은 美 오리건 주 및 오하이오 주에 대한 투자 외에도 40년 이상에 걸쳐 미국 남서부 지역에 투자하고 혁신을 지속해오고 있으며, 애리조나 주와 뉴멕시코 주에 제조 시설을 확보하고 있다. 인텔은 과거 뉴멕시코 주에서 운영을 확장하고 리오란초 소재 팹에 첨단 반도체 패키징 생산 역량을 갖추기 위해 35억 달러를 투자한다고 밝힌 바 있다.

타워는 업계 선도적인 65nm BCD 전력 및 RF SOI 기술을 도입한 300mm 웨이퍼 제조 기술을 바탕으로 고객군을 확대하고 규모를 확장할 수 있다. 타워의 65nm BCD 기술은 동급 최고의 RDSon 효율 특성을 바탕으로 고객에게 향상된 전력 효율성과 개선된 다이 크기 및 비용 등의 이점을 제공한다.

더불어, 타워의 65nm RF SOI 기술은 우수한 RonCoff 효율성 특성을 통해 핸드폰 배터리 효율성 향상 및 개선된 무선 연결을 고객에 제공한다. 타워는 이번 계약을 통해 규모를 확대하며, 기존 기술로 더 큰 기회를 제공함과 동시에 강력한 차세대 기술 로드맵을 구축할 뿐 아니라 업계 선도적인 기업과 파트너십을 강화할 수 있다.

IFS는 인텔의 IDM 2.0 전략에 있어 매우 중요한 요소이며 이번 발표는 인텔이 기술 리더십, 대규모 제조 역량 및 장기 성장을 회복하고 강화하기 위한 목표 달성을 위한 노력에 대한 방증이다. IFS는 지난 1년 간 큰 발전을 이뤄냈으며, 2023년 2분기에 연간 매출이 300% 증가하는 등 성과를 달성했다. 더불어, 인텔은 최근 시놉시스(Synopsys)와 인텔 3 및 인텔 18A 공정 노드에서 지적 재산 포트폴리오 개발을 위한 협정을 체결한 바 있다. 인텔은 미국 국방부의 RAMP-C(Rapid Assured Microelectronics Prototypes-Commercial) 프로그램을 수상했으며, 다섯 개의 RAMP-C 고객이 인텔 18A 공정 기반으로 테스트 칩을 설계하고 있다.