로옴이 주력하는 자동차기기 및 산업기기 시장을 비롯 한, 모든 시장에서 환경 부하 저감, 안전 추구를 위한 기술 혁신이 추진되고 있다. 탈탄소, 에너지 절약의 키 디바이스로서 로옴의 주력 제품인 파워 반도체, 아날로그 반도체의 역할은 더욱 커지고 있다. 로옴은 2020년에 「파워와 아날로그에 포커스를 맞추어, 고객 제품의 “저 전력”, “소형화”에 기여함으로써, 사회 과제를 해결한 다」는 경영 비전을 책정하였다. 특집에 소개하는 최신 제품은 이러한 경영 비전을 실천하는 제품들이다.
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    2022 Best Product    

1. 차량용 LDO 레귤레이터
ADAS 센서 및 레이더용 소형 · 300mA 출력
 
「BUxxJA3DG-C 시리즈」는 자동차의 ADAS 센서나 레이더 등, 소형 및 고성능화가 추진되는 자동차 어플 리케이션용 LDO 레귤레이터 IC이다.

자동차 어플리케이션의 세컨더리 전원 용도로 개발된 LDO 레귤레이터로서, 기본 요구(소형 사이즈, 표준 출력전압 라인업)를 만족하였다. 그리고, 소형 사이즈(2.9mm × 2.8mm)로 출력전류 300mA까지 대응함과 동시에, 동등 용도의 LDO 시리즈로는 흔하지 않은 하한 1.7V부터 입력전압 범위를 커버하여, 1.8V 전원 계통에도 사용이 가능하다.

또한, 출력 노이즈가 적은 LDO 레귤레이터 중에서도 일반품 대비 약 40% 저감된 55μVrms (출력전압 3.3V 제품 비교)까지 노이즈를 저감하여 더 깨끗한 전원을 필요로 하는 어플리케이 션에 사용 가능하므로, ADAS 센서 및 레이더 등의 소형화와 고성능화에 기여한다.



2. 첨단 ADAS용 DC/DC 컨버터 IC
업계 최고 수준의 안정 동작을 실현
 
「BD9S402MUF-C」는 차량용 센서 및 카메라를 비롯한 ADAS 및 인포테인먼트 등 고기능화가 추진되는 자동차 어플리케이션용 강압 DC/DC 컨버터 IC이다.

고성능화되는 SoC 및 마이컴의 세컨더리 전원 용도에 요구되는 소형 사이즈, 출력전류 4A, 2MHz 이상 스위칭 동작으로 0.6V 저전압 출력에 대응한다.

그리고, 로옴의 독자적인 고속 부하 응답 기술 「QuiCur™」를 탑재함으로써, 기능이 동등한 일반품에 비해 출력전압 변동을 25% 저감한 업계 최고 수준의 30mV 안정 동작(측정 조건: 출력전압 1.2V, 출력 콘덴서 용량 44μF, 부하전류 변동 0→ 2A/2μsec.)을 실현하여, 저전압 출력에서도 ±5% 이내의 안정 동작을 필요로 하는, 전원 조건이 까다로운 첨단 ADAS에 최적이다.



   2023 Focus Product   

1. LiDAR용 75W 고출력 레이저 다이오드
3D ToF 시스템 사용하여 거리 측정
 
「RLD90QZW3」은 3D ToF 시스템을 사용하여 거리 측정 및 공간 인식을 실행하는 LiDAR용으로 개발된, 적외 75W 고출력 레이저 다이오드이다.

독자적인 소자 개발 기술을 구사하여, 출력이 동등한 레이저 다이오드로서 업계 최소의 발광폭 225μm를 달성하였다. 일반품 290μm에 비해 발광폭을 22% 저감함으로써, 높은 빔 성능을 실현하였다. 동시에, 발광 강도의 균일화와 레이저 파장의 낮은 온도 의존성을 통해, 안정적 으로 높은 성능을 발휘할 수 있어, 다양한 환경에서 LiDAR의 장거리 대응 고정밀도화에 기여 한다.

또한, 좁은 발광폭과 트레이드 오프 관계인 전력 광 변환 효율도 일반품과 동등한 효율 21%(순방향 전류 24A, 75W 출력 시)를 실현하여, 소비전력 증가에 대한 우려 없이 채용이 가능하다. 향후, 한층 더 고출력화와 자동차기기에 대응하는 제품을 개발할 예정이다.



2. 8V 게이트 내압 150V GaN HEMT
산업기기 및 각종 IoT 통신기기의 전원 회로용

「GNE10xxTB 시리즈」는 산업기기 및 각종 IoT 통신기기의 전원 회로용으로, 업계 최고 8V까지 게이트 내압 (게이트-소스 정격전압)을 높인 150V 내압 GaN HEMT이다.
 
일반적으로 GaN 디바이스는 저 ON 저항과 고속 스위칭 성능이 뛰어나, LiDAR 어플리케이션 시장으로 도입 되고 있다. 각종 전원의 저소비전력화 및 주변 부품의 소형화에 기여하는 디바이스로서 활용이 기대되고 있지만, 게이트 내압이 낮아 스위칭 시의 디바이스 신뢰성에 과제가 있었다.

로옴의 150V GaN HEMT는 이러한 과제에 대응하여, 독자적인 구조를 채용함으로써 게이트 소스 정격전압을 일반적인 6V에서 8V까지 높이는데 성공하였다. 경합 제품 대비, 구동 회로 스위칭 시의 오버슈트 파괴에 대한 마진을 약 30% 향상시 켜, 전원 회로의 설계 마진 향상 및 고신뢰성에 기여한다.

또한, 대전류 대응 및 방열성이 우수하고 범용성이 높은 패키지로 제품화하여, 기판 실장이 용이하다. 패키징 시의 과제인 기생 인덕턴스를 기존 패키지 대비 55％ 저감할 수 있는 구조를 채용하여, 특성 열화를 억제하였다. 그리고, 고속 구동 가능한 GaN HEMT 특성을 최대화시키기 위해, 고속 게이트 드라이버 IC 등을 개발하고 있다.