로옴 주식회사, 구동 IC 및 파워 트랜지스터 내장하는 전원 IC, 최적의 파워 솔루션 제공

로옴이 주력하는 자동차기기 시장 및 산업기기 시장을 비롯하여, 모든 시장에서 환경 부하 저감, 안전의 추구를 위한 기술 혁신이 추진되고 있다.

탈탄소, 저전력의 키 디바이스로서 로옴의 주력 상품인 파워 반도체 및 아날로그 반도체의 역할은 더욱 커지고 있으며, 특히 전 세계 전력 소비 량의 대부분을 차지한다고 일컬어지는 「모터」나 「전원」의 효율 개선은 로옴의 커다란 사명이라고 인식하고 있다.
 
이러한 상황에서 로옴이 나아가야할 방향성을 명확히 하기 위해, 2020년에 경영 비전 「파워와 아날로그에 포커스를 맞추어, 고객 제품의 저전 력화 및 소형화에 기여함으로써 사회 과제를 해결한다.」를 책정하였다. 지속 가능한 사회의 실현을 위해, 기업으로서 한층 더 사회 공헌을 위해 노력하고자 한다.

로옴은 파워 반도체 분야에서, Si를 소재로 사용한 고내압 트랜지스터(MOSFET, IGBT) 및 다이오드 (SBD, FRD 등) 뿐만 아니라, SiC를 소재로 사용한 트랜지스터(SiC MOSFET) 및 다이오드 (SiC SBD), GaN을 소재로 사용한 트랜지스터(GaN HEMT) 등 신세대 파워 반도체 개발을 강력하게 전개해 왔다.

고객 제품의 저전력화 및 소형화에 기여

또한 파워 반도체는, 파워 반도체를 구동하는 아날로그 반도체와 특성 및 사양을 조합함으로써, 시스템 레벨에서의 성능을 한층더 향상시킬 수 있다. 로옴은 아날로그 반도체에 서도, 각종 파워 반도체의 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 구동 IC 및 파워 트랜지스터를 내장하는 전원 IC를 다수 구비하여, 시스템에 따라 최적의 파워 솔루션을 제공한다.


 Best Product 3 

1. MOSFET 내장 비절연형 강압 DC/DC 컨버터 IC
BD9G500EFJ-LA, 80V 내압 및 5A 출력



「BD9G500EFJ-LA」는 대전력을 취급하는 5G 통신 기지국, PLC 및 인버터 등의 FA 기기용으로 고내압과 대전류를 실현한 MOSFET 내장 비절연형 강압 DC/DC 컨버터 IC이다.

파워계 프로세스의 고내압 BiCDMOS를 채용하고, 로옴의 우수한 아날로그 설계 기술을 구사하여 개발한 제품이다. 48V 전원 계통용으로 업계 최고 수준의 80V 내압을 실현함과 동시에 MOSFET 내장으로 동등 수준 제품 대비 최고인 출력전류 5A의 대전력 대응으로, 5G 통신 기지국 및 충전 스테이션 등의 고신뢰화, 고기능화에 기여한다.


2. 초고속 역회복 시간과 최고 수준의 저 ON 저항을 동시에 실현
600V 내압 Super Junction MOSFET 「R60xxVNx 시리즈」



「R60xxVNx 시리즈」는 서버, 기지국 등 대전력을 필요로 하는 산업기기의 전원 회로에 최적인 600V 내압 Super Junction MOSFET이다. 독자적인 라이프 타임 제어 기술을 통해 업계 초고속의 역회복 시간을 특징으로 하는 “PrestoMOS™ (프레스토모스)” 제품이기도 하다.

이 제품은 로옴의 최신 프로세스를 채용함으로써 업계 초고속 역회복 시간(trr)을 실현함과 동시에, 트레이드 오프 특성인 저 ON 저항을 동등 일반품 대비 최대 20% 저감하였다. 역회복 시간도 PrestoMOS™로서 업계 초고속 105ns를 실현하여, 동등 일반품 대비 스위칭 시의 전력 손실을 약 17% 저감할 수 있다. 이러한 2가지 특징으로, 동등 일반품보다 애플리케이션의 고효율화에 크게 기여한다.


3. GaN 디바이스 채용 전원회로의 설계 마진 향상 및 고신뢰화 가능
150V GaN HEMT 「GNE10xxTB 시리즈 (GNE1040TB)」



GNE1040TB는 기지국, 데이터 센터를 비롯한 산업기기 및 각종 IoT 통신기기의 전원 회로용 GaN 디바이스이다. 2021년 4월에 디바이스 기술 개발을 발표하였으며, 2022년 3월에 양산 체제를 확립하였다.

GNE1040TB는 독자적인 구조를 통해 게이트?소스 정격전압을 일반적인 6V에서 8V까지 높이는데 성공하여, 고효율이 요구되는 GaN 디바이스 채용 전원회로의 설계 마진 향상 및 고신뢰화가 가능해진다. 또한, 낮은 기생 인덕턴스로 디바이스의 성능을 최대화시킴과 동시에, 기판 실장이 용이하고 방열성이 우수한 전용 패키지도 함께 개발하여, 기존의 실리콘 디바이스의 대체 사용 및 실장 공정에서의 핸들링이 용이하다.