인피니언, 경제적 가격대 650V 실리콘 카바이드 MOSFET 발표
  • 2022-03-29
  • 박종배 기자, jbpark@elec4.co.kr

전기 소비가 증가하면서 에너지 효율이 점점 더 중요해지고 있는 가운데, 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 신뢰할 수 있고 사용하기 쉬우며 경제적인 가격대로 최상의 성능을 제공하는 새로운 CoolSiC™ 650V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군을 출시한다고 밝혔다.

이들 제품은 인피니언의 첨단 SiC 트렌치 기술을 기반으로 하고 .XT 인터커넥션 기술을 적용한 컴팩트한 D2PAK SMD 7핀 패키지로 제공된다. 서버, 텔레콤, 산업용 SMPS, 급속 EV 충전, 모터 드라이브, 태양광 에너지 시스템, 에너지 저장, 배터리 포메이션 같은 고전력 애플리케이션에 적합하다.


신제품은 더 높은 전류에서 향상된 스위칭 성능을 제공하고 최고 수준의 실리콘 디바이스 대비 80퍼센트 낮은 역 복구 전하(Qrr) 및 드레인-소스 전하(Qoss)를 제공한다. 감소된 스위칭 손실은 더 작은 시스템 크기로 고주파수 동작을 가능하게 하여 더 높은 효율과 전력 밀도를 달성하도록 한다.

트렌치 기술은 우수한 게이트 산화막 신뢰성의 기반이며, 향상된 애벌랜치(avalanche) 및 단락 회로 견고성으로 가혹한 환경에서도 최대의 시스템 신뢰성을 보장한다. 이들 SiC MOSFET은 반복적 하드 정류를 사용하는 토폴로지나 고온 및 가혹한 동작에 적합하다. 온도에 대한 온 저항(RDS(on)) 의존성이 매우 낮아 우수한 열 동작을 나타낸다.

게이트 대 소스 전압(VGS) 범위가 -5V~23V로 넓고 0V 턴오프 VGS와 4V 이상의 게이트-소스 임계 전압(VGS(th))을 지원하는 신제품은 일반적인 MOSFET 게이트 드라이버 IC와 동작한다. 또한 양방향 토폴로지와 완전한 dv/dt 제어를 지원하여 시스템 비용과 복잡성을 낮추고 통합을 수월하게 한다. .XT 인터커넥션 기술은 패키지 열 성능을 크게 향상시킨다. 표준 인터커넥션에 비해서 최대 30퍼센트까지 손실을 더 많이 소산 시킨다.

 

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