로옴(ROHM)은 650V GaN HEMT의 TOLL (TO-LeadLess) 패키지 제품인 GNP2070TD-Z의 양산을 개시했다고 5일 밝혔다. 

로옴은 고전력 애플리케이션의 한차원 높은 소형화, 고효율화 요구에 대응하기 위해 기존 DFN8080 패키지에 추가하는 형태로 650V GaN HEMT의 패키지 라인업을 강화, TOLL 패키지에 2세대 소자를 탑재했다.

TOLL 패키지는 소형, 고방열 특성과 전류 용량 및 스위칭 특성이 우수하여, 산업기기 및 자동차 기기 중에서도 대전력 대응이 요구되는 애플리케이션에서 채용이 추진되고 있다. TOLL 패키지 제조는 반도체 후공정 기업(OSAT)으로서 풍부한 실적을 보유한 말레이시아의 ATX 세미컨덕터(Weihai)에 위탁했다.

로옴에 따르면, GNP2070TD-Z는 TOLL 패키지에 2세대 GaN 온 실리콘 칩(GaN on Si Chip)을 탑재해 온(ON) 저항과 입력 용량의 관계를 나타내는 디바이스 성능 지표(R_DS(ON)×Q_oss)에서 업계 최고 수준을 실현함으로써 고전압, 고속 스위칭이 요구되는 전원 시스템의 한차원 높은 소형화와 저전력화에 기여한다.
 
로옴은 신제품 양산과 관련하여 기반이 되는 일관 생산체제에서 축적한 디바이스 설계 기술 및 노하우를 활용해 설계와 기획을 실시했다. 지난해 12월 10일 발표한 TSMC와의 협업을 통해 전공정은 TSMC, 후공정은 ATX에서 생산하고 있다. ATX와는 차량용 GaN 디바이스의 생산을 위해서도 협업할 예정이다.

자동차 분야에서 GaN 디바이스의 채용은 2026년부터 가속화될 전망이다. 이에 로옴은 자체 개발과 협업 활동을 강화함으로써 차량용 GaN 디바이스의 신속한 시장 투입을 실현할 계획이다. 

로옴의 사토시 후지타니(Satoshi Fujitani) AP 생산본부 본부장은 "로옴은 GaN 디바이스를 단품으로 제공할 뿐만 아니라 로옴의 강점인 아날로그 기술을 기반으로 한 IC 등과 조합한 전력 솔루션을 제공하고 있으며, 이러한 설계를 통해 축적해온 노하우와 기술을 디바이스 설계에도 활용하고 있다. 그리고 ATX와 같이 높은 기술력을 보유한 OSAT와 협업함으로써 급성장하는 GaN 시장에 대응하여 로옴의 강점을 활용한 디바이스를 제품화할 수 있게 되었다. 앞으로도 GaN 디바이스의 성능 향상을 통해 다양한 애플리케이션의 소형화, 고효율화를 추진해 인류의 풍요로운 생활에 기여해 나아갈 것"이라고 말했다. 
한편, 로옴은 2023년 4월 650V 1세대 GaN HEMT를 양산한 데 이어, 2023년 7월에 게이트 드라이버와 650V GaN HEMT를 단일 패키지에 통합한 파워 스테이지 IC를 양산했다.