혁신 파이프라인 강화 및 첨단 기술 연구 단계서 대규모 양산으로의 전환 가속화
어플라이드 머티어리얼즈가 TSMC와 30년 이상의 협력 관계를 바탕으로 차세대 AI 시대를 위한 반도체 기술 개발 및 상용화를 가속화하는 새로운 혁신 파트너십을 체결했다고 발표했다.
업체 측에 따르면, 양사는 실리콘밸리에 위치한 어플라이드 EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터에서 데이터센터부터 엣지까지 에너지 효율적인 성능을 구현하기 위한 재료공학, 장비 혁신, 공정 통합 기술을 공동으로 개발할 계획이다.
게리 디커슨(Gary Dickerson) 어플라이드 머티어리얼즈 회장 겸 CEO는 “어플라이드와 TSMC는 반도체 기술의 최전선에서 혁신을 이끌겠다는 공동의 신뢰와 의지를 바탕으로 오랜 기간 긴밀히 협력해왔다”며, “EPIC 센터에서 양사의 팀을 한데 모아 파트너십을 더욱 강화하고, 반도체 제조 로드맵의 전례 없는 복잡성에 대응하기 위한 기술 개발을 가속화할 것”이라고 말했다.
미위제(Y.J. Mii) TSMC 수석 부사장 겸 공동 최고운영책임자(Co-COO)는 “반도체 디바이스 아키텍처가 세대를 거듭하며 진화함에 따라 재료공학과 공정 통합에 대한 요구 수준이 높아지고 있다”며, “글로벌 규모의 AI 과제에 대응하기 위해서는 업계 전반의 협력이 필수적이다”고 밝혔다. 이어, “어플라이드 머티어리얼즈의 EPIC 센터는 차세대 기술을 위한 장비와 공정 준비를 가속하는 데 이상적인 환경을 제공한다”고 밝혔다.
양사는 EPIC 센터 협력을 통해 첨단 로직 스케일링의 핵심 과제 해결을 위한 재료공학 혁신을 공동 추진한다. 우선 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 수요 증가에 대응해 첨단 로직 노드 전반에서 전력·성능·면적을 지속 개선하는 공정 기술을 개발한다. 또한 복잡해지는 3D 트랜지스터 및 인터커넥트 구조를 정밀하게 형성하는 신소재와 차세대 제조 장비를 선보일 계획이다. 이와 함께 디바이스 아키텍처가 수직 적층 및 고도 스케일링화됨에 따라 수율과 변동성 제어, 신뢰성을 높이는 첨단 공정 통합 기술 혁신에도 집중할 방침이다.
프라부 라자(Prabu Raja) 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹(SPG) 사장은 “첨단 파운드리 기술 발전을 위해서는 새로운 협력 및 혁신 모델이 필요하다”며, “TSMC는 EPIC 센터의 창립 파트너로서 어플라이드의 혁신 팀과 차세대 장비에 우선적으로 접근해 기술 개발에서 양산으로의 전환을 가속화할 수 있을 것”이라고 전했다.
실리콘밸리에 위치한 어플라이드의 신규 EPIC 센터는 약 50억 달러 규모로 미국 내 역대 최대 첨단 반도체 장비 R&D 투자 시설로 평가된다고 업체 측은 밝혔다. 올해 가동을 목표로 하는 이 센터는 초기 연구 단계부터 대규모 양산까지 혁신 기술의 상용화 기간을 획기적으로 단축하도록 설계됐다.
칩 제조사들은 안전한 협업 환경에서 어플라이드의 R&D 포트폴리오에 조기 접근하고 학습 주기를 단축해 차세대 기술의 양산 전환을 앞당길 수 있다. 또한 EPIC 센터의 공동 혁신 프로그램은 어플라이드에 멀티 노드 관점의 가시성을 제공해 R&D 투자 방향을 정교화하고 R&D 생산성과 가치 창출을 동시에 높인다는 설명이다.
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