부품 통합으로 전력 효율·설계 편의성 동시 개선...산업·컨슈머 시장 겨냥
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)는 MasterGaN 하프 브리지 제품군의 2세대 솔루션인 ‘MasterGaN6’을 출시했다고 밝혔다.
MasterGaN6은 고성능 GaN 전력 트랜지스터와 업데이트된 BCD 드라이버를 결합한 전력 SiP(System-in-Package)로, 140mΩ의 낮은 RDS(on)을 제공하는 것이 특징이다고 업체 측은 전했다.
이 제품은 기존 MasterGaN 제품군의 높은 집적도를 기반으로 결함 표시와 스탠바이 기능을 위한 전용 핀을 추가해 기능을 확장했다. 또한 LDO와 부트스트랩 다이오드를 통합해 외부 부품 수를 줄이면서 전력 소모를 낮추고 안정적인 구동 성능을 제공한다는 설명이다.
새롭게 설계된 드라이버는 빠른 타이밍 특성을 바탕으로 짧은 최소 온 타임과 낮은 전파 지연을 구현해 고주파 동작을 지원한다. 이를 통해 설계자는 회로 면적을 줄일 수 있으며, 초고속 웨이크업 기능을 통해 저부하 구간에서도 높은 효율을 유지할 수 있다.
MasterGaN6은 교차 전도 방지, 과열 차단, 저전압 차단 등 다양한 보호 기능도 탑재했다. 이를 통해 엔지니어는 부품원가(BOM)를 절감하고 회로 설계를 간소화하며 PCB 크기를 줄일 수 있다는 것이다.
업체 측에 따르면, 이 제품은 최대 10A 전류를 지원하며, 충전기 및 어댑터, 조명 전원공급장치, DC-AC 태양광 마이크로 인버터 등 다양한 컨슈머 및 산업용 애플리케이션에 적용할 수 있다. 또한 액티브 클램프 플라이백(ACF), 공진형 LLC, 역 벅 컨버터, 역률 보정(PFC) 회로 등 다양한 전력 변환 토폴로지에 대응한다.
ST는 개발자들이 MasterGaN6을 빠르게 평가할 수 있도록 EVLMG6 평가 보드를 함께 출시했으며, eDesignSuite PCB 열 시뮬레이터에도 해당 모델을 추가했다.
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