하나의 칩에 주요 기능 통합… 효율·설계 편의성 동시에 개선
ST마이크로일렉트로닉스가 MasterGaN 하프 브리지 제품군의 2세대 솔루션인 MasterGaN6을 공개했다. 이 새로운 전력 SiP(System-in-Package)는 단 140mΩ의 RDS(on)을 제공하는 고성능 GaN 전력 트랜지스터와 업데이트된 BCD 드라이버를 결합했다고 업체 측은 밝혔다.
MasterGaN6은 ST의 MasterGaN 제품군이 제공하는 높은 집적도를 바탕으로, 결함 표시와 스탠바이 기능을 위한 전용 핀을 추가하여 기능을 더욱 확장했다. 새로운 디바이스는 이러한 기능을 통해 스마트한 시스템 관리를 지원하고, 전력소모 절감 효과를 높이는 동시에, LDO와 부트스트랩 다이오드를 통합하고 있어 외부 부품을 절감하면서 최적의 구동 성능을 보장한다는 설명이다.
매우 빠른 타이밍 특성으로 설계된 새로운 첨단 드라이버는 짧은 최소 온 타임과 전파 지연 시간으로 고주파수 동작을 가능하게 하며, 설계자가 회로 면적을 최소화할 수 있도록 지원한다. 또한, 초고속 웨이크업 시간으로 버스트 모드 동작을 향상시켜 최적의 저부하 효율을 제공한다.
이외에도 MasterGaN6은 교차 전도, 과열 차단, 저전압 차단 등 다양한 보호 기능을 갖춰 엔지니어들이 낮은 부품원가(BOM)로 회로 레이아웃을 간소화하고 PCB 크기를 줄일 수 있도록 지원한다고 업체 측은 전했다.
업체 측에 따르면, MasterGaN6은 최대 10A의 전류를 처리할 수 있으며, 충전기·어댑터, 조명 전원공급장치, DC-AC 태양광 마이크로 인버터 등과 같은 컨슈머 및 산업용 애플리케이션에 적합하도록 설계되었다. 또한, 하프 브리지 구성을 기반으로 액티브 클램프 플라이백(Active-Clamp Flyback, ACF), 공진형 LLC, 역 벅 컨버터 및 역률 보정(Power Factor Correction, PFC) 회로 등 다양한 토폴로지에 적합하다.
ST는 설계자들이 새로운 IC를 신속하게 평가할 수 있도록 EVLMG6 평가 보드를 출시하고, eDesignSuite PCB 열 시뮬레이터에 MasterGaN6 모델을 추가했다.
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