Sanan IC, 실리콘 웨이퍼 파운드리 서비스에 대한 150mm GaN 상용 출시
2019-06-25 박종배 기자, jbpark@elec4.co.kr
650V 확장 모드 전자 이동도 트랜지스터(E-HEMT) GaN 공정
올해 하반기 PiN Schottky 다이오드 구조 병합한 2세대 SiC SBD 공정 개시
Sanan IC(Sanan Integrated Circuit Co., Ltd)가 세계 시장에 최신 고전압 AC/DC 및 DC/AC 전력전자 애플리케이션용으로 집중 투자한 실리콘 웨이퍼 파운드리 서비스에 대한 150mm 갈륨 질화물 (GaN) 상용 출시를 발표했다.
Sanan IC의 새로운 G06P111은 SBD(Shotky Barrier Diodes)에 사용되는 100mm 및 150mm 실리콘 카바이드(SiC)를 포함하는 WBG (wide bandgap) 화합물 반도체의 파워 전자 웨이퍼 파운드리 포트폴리오에 추가된 650V 확장 모드 전자 이동도 트랜지스터(E-HEMT) GaN 공정이다.
Sanan Optoelectronics의 LED 시장을 위한 수년간의 대량 생산 경험을 바탕으로 Sanan IC는 고전압, 저누설 GaN-on-silicon 균일성이 우수한 에피택셜 웨이퍼를 자체 MOCVD 성장 능력으로 삼아 파운드리 서비스를 보완할 수 있다.
Sanan IC의 Assistant General Manager인 Jasson Chen은 “650V GaN E-HEMT 공정 기술의 출시는 세계 시장에 서비스를 제공하기 위한 첨단 화합물 반도체 제조에 대한 우리의 노력을 보여준다”며 ”우리는 고전압, 고전력 전자 산업 분야에서 실리콘 카바이드에 대한 보완 기술로서 GaN-on-silicon을 선택의 핵심 광 밴드 갭 반도체로 고려하고 있다. 부품 공급 업체 및 시스템 설계자는 고전력 아날로그 설계에서 향상된 성능, 효율성 및 신뢰성을 위해 기존 실리콘에 비해 넓은 밴드 갭 반도체로 마이그레이션하고 있다. Sanan IC는 이 고성장, 대규모 전력 전자 제품 시장에서 성공할 수 있는 좋은 위치에 있다”고 말했다.
이 회사의 G06P11 GaN-on-silicon 공정은 공정 신뢰도 검증을 위해 JEDEC 표준을 통과한 상태에서 드레인 - 소스 온 - 스테이트 저항 RDS(on) 범위가 50mΩ ~ 400mΩ 범위인 650V E- 모드 FET를 위한 소자 구조를 제공한다.
낮은 누설 전류, 낮은 게이트 전하, 높은 전류 밀도 및 낮은 동적 특성의 고유 저항(Rsp)을 위해 설계되어 고온 작동을 위한 초소형 스위칭 소형 디자인을 구현한다. 올해 하반기에는 200V GaN E-HEMT 공정뿐만 아니라 PiN Schottky(MPS) 다이오드 구조를 병합한 2세대 SiC SBD 공정을 개시할 예정이다.
프로세스 기술로서 GaN-on-silicon은 전원 어댑터, USB-PD(전력 공급), 휴대용 충전기 및 AC/DC 무정전 전원 공급 장치용 PFC(Power Factor Correction)와 같은 최신 소비자 및 서버 애플리케이션에 이상적이다.
이 기술은 EV/HEV(하이브리드/전기 자동차), LiDAR 및 무선 충전과 같은 다른 시장에서도 주목받고 있다. Yole Group of Companies의 한 부문인 선도적인 기술 시장 조사 회사인 Yole Développement(Yole)에 따르면 GaN 전력 장치 시장의 연평균 복합 성장률(CAGR)은 93%로 2023년까지 4억2300만달러 이상을 창출할 것으로 예상된다. Sanan IC는 전력 전자 업계의 여러 시장 부문에서 신기술을 제공하는데 전념하고 있다.
올해 하반기 PiN Schottky 다이오드 구조 병합한 2세대 SiC SBD 공정 개시
Sanan IC(Sanan Integrated Circuit Co., Ltd)가 세계 시장에 최신 고전압 AC/DC 및 DC/AC 전력전자 애플리케이션용으로 집중 투자한 실리콘 웨이퍼 파운드리 서비스에 대한 150mm 갈륨 질화물 (GaN) 상용 출시를 발표했다.
Sanan IC의 새로운 G06P111은 SBD(Shotky Barrier Diodes)에 사용되는 100mm 및 150mm 실리콘 카바이드(SiC)를 포함하는 WBG (wide bandgap) 화합물 반도체의 파워 전자 웨이퍼 파운드리 포트폴리오에 추가된 650V 확장 모드 전자 이동도 트랜지스터(E-HEMT) GaN 공정이다.
Sanan Optoelectronics의 LED 시장을 위한 수년간의 대량 생산 경험을 바탕으로 Sanan IC는 고전압, 저누설 GaN-on-silicon 균일성이 우수한 에피택셜 웨이퍼를 자체 MOCVD 성장 능력으로 삼아 파운드리 서비스를 보완할 수 있다.
Sanan IC의 Assistant General Manager인 Jasson Chen은 “650V GaN E-HEMT 공정 기술의 출시는 세계 시장에 서비스를 제공하기 위한 첨단 화합물 반도체 제조에 대한 우리의 노력을 보여준다”며 ”우리는 고전압, 고전력 전자 산업 분야에서 실리콘 카바이드에 대한 보완 기술로서 GaN-on-silicon을 선택의 핵심 광 밴드 갭 반도체로 고려하고 있다. 부품 공급 업체 및 시스템 설계자는 고전력 아날로그 설계에서 향상된 성능, 효율성 및 신뢰성을 위해 기존 실리콘에 비해 넓은 밴드 갭 반도체로 마이그레이션하고 있다. Sanan IC는 이 고성장, 대규모 전력 전자 제품 시장에서 성공할 수 있는 좋은 위치에 있다”고 말했다.
이 회사의 G06P11 GaN-on-silicon 공정은 공정 신뢰도 검증을 위해 JEDEC 표준을 통과한 상태에서 드레인 - 소스 온 - 스테이트 저항 RDS(on) 범위가 50mΩ ~ 400mΩ 범위인 650V E- 모드 FET를 위한 소자 구조를 제공한다.
낮은 누설 전류, 낮은 게이트 전하, 높은 전류 밀도 및 낮은 동적 특성의 고유 저항(Rsp)을 위해 설계되어 고온 작동을 위한 초소형 스위칭 소형 디자인을 구현한다. 올해 하반기에는 200V GaN E-HEMT 공정뿐만 아니라 PiN Schottky(MPS) 다이오드 구조를 병합한 2세대 SiC SBD 공정을 개시할 예정이다.
프로세스 기술로서 GaN-on-silicon은 전원 어댑터, USB-PD(전력 공급), 휴대용 충전기 및 AC/DC 무정전 전원 공급 장치용 PFC(Power Factor Correction)와 같은 최신 소비자 및 서버 애플리케이션에 이상적이다.
이 기술은 EV/HEV(하이브리드/전기 자동차), LiDAR 및 무선 충전과 같은 다른 시장에서도 주목받고 있다. Yole Group of Companies의 한 부문인 선도적인 기술 시장 조사 회사인 Yole Développement(Yole)에 따르면 GaN 전력 장치 시장의 연평균 복합 성장률(CAGR)은 93%로 2023년까지 4억2300만달러 이상을 창출할 것으로 예상된다. Sanan IC는 전력 전자 업계의 여러 시장 부문에서 신기술을 제공하는데 전념하고 있다.
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