SiC, Si, Ga
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3(산화갈륨) 전력반도체를 설계하는 팹리스 기업인 파워큐브세미(대표 강태영)는 지난해 1,700V SiC 전력반도체 개발에 이어 국내 최초로 2,300V SiC MOSFET 개발에 성공했다고 26일 밝혔다.
SiC(탄화규소)는 기존 Si(실리콘) 기반의 반도체 대비 견딜 수 있는 전압이 높아 미래 전력반도체를 주도할 차세대 소자로 불리고 있다. SiC는 전기자동차(EV)의 보급, AI로 인한 데이터센터의 확대 등 첨단 기술의 도입에 반드시 필요한 핵심 부품이다.
파워큐브세미는 최근 중국 글로벌 전기자동차 기업에 대용량 SJ(Super Junction) MOSFET을 공급하며 기술력을 인정받았다. 이번에 출시한 2,300V SiC MOSFET은 국내 최초의 개발 사례이다.
파워큐브세미 경신수 CTO는 "기존의 1,700V SiC MOSFET 개발 및 양산 경험이 2,300V까지 이어질 수 있었다”고 전했다.
2,300V SiC MOSFET은 송배전 등 고내압, 저전력이 필요한 애플리케이션에 적용될 예정이다. 현재 한국전력과 송배전용 인버터에 공급하기 위한 협의가 진행 중이다.
파워큐브세미 강태영 대표는 “수 년간의 노력이 결과물로 나오게 되어 기쁘다. 단순한 개발 사례로 끝나지 않고 고내압, 저전력이 필요한 애플리케이션에 적용할 수 있도록 만전을 기하겠다”라고 밝혔다.
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