넥스페리아, 공간 절약형 이산 소자 FET 솔루션 발표
  • 2024-03-04
  • 신윤오 기자, yoshin@elec4.co.kr

APEC 시장에 공개, EMC에 최적화된 NextPowerS3 MOSFET 출시
 
넥스페리아가 APEC 시장에  지속적인 혁신 제품을 출시하며 다양한 애플리케이션을 위한 이산 소자 솔루션으로 MOSFET 제품들을 출시했다.

이 제품군에는 PoE, eFuse 및 계전기 교체를 위한 100V 응용 제품별 MOSFET(ASFET)이 있으며 기존보다 60% 더 작은 DFN2020패키징으로 향상된 전자파 적합성(EMC) 성능을 갖춘 40V NextPowerS3 MOSFET도 포함된다.
 


PoE 스위치에는 일반적으로 최대 48개의 포트가 있는데 각 포트는 보호를 위해 2개의 MOSFET을  필요로 한다. 단일 PCB에 최대 96개의 MOSFET이 있어서 소자의 실장 면적을 줄일 수 있다. 이에 따라 넥스페리아는 2mm x 2mm DFN2020 패키징에서 이전 버전보다 60% 적은 공간을 차지하는 100V PoE ASFET LFPAK33 출시했다. 
 
이러한 소자의 중요한 기능은 돌입 전류를 제한해서 PoE 포트를 보호하는 동시에 오류 상태를 안전하게 관리하는 것이다. 이를 위해 넥스페리아는 RDS(on)를 최소한으로 늘리면서 이 소자의 SOA(안전 작동 영역)를 최대 3배까지 향상시켰다.  이 ASFET은 배터리 관리, Wi-Fi 핫스팟, 5G 피코셀 및 CCTV 애플리케이션에도 적합하며 스마트 온도 조절기의 기계식 릴레이를 대체할 수 있다.
 
MOSFET 스위칭으로 인한 EMC 관련 문제는 일반적으로 제품 개발 수명 주기의 후반부에만 발생하는데 이를 해결하기 위해 추가 R&D 비용이 발생하는가 하면 시장 출시도 지연될 수 있다. 일반적인 솔루션들은 RDS(on)가 더 낮은 훨씬 더 고가의 MOSFET을 사용하거나(스위칭 속도를 늦추고 과도한 전압 링잉을 흡수하기 위해) 외부 정전 용량 스너버 회로를 장착하는 것이 포함되지만 이러한 접근 방식은 부품 수가 증가한다는 단점이 있다. 
  
넥스페리아가 이번에 출시한 40V NextPowerS3 MOSFET는 외부 스너버 회로를 사용하는 것과 유사한 EMC 성능을 제공하는 동시에 더 높은 효율을 제공한다. 이 MOSFET은 다양한 응용 분야에서 스위칭 컨버터 및 모터 컨트롤러에 사용하기에 적합하며 LFPAK56 패키지로 제공된다.
 
넥스페리아의 MOSFET 마케팅 및 제품 그룹 이사인 크리스 보이스(Chris Boyce)는 "넥스페리아는 APEC 2024에서 다양한 이산 소자 FET 솔루션으로 이러한 최신 제품을 출시함으로써 R&D 전문 지식을 활용해 최적화된 솔루션을 전시하게 된다. 이 새로운 100V PoE ASFET과 40V NextPowerS3 MOSFET의 향상된 EMC 성능은 엔지니어가 다양한 응용 분야에서 문제를 극복할 수 있도록 지원하겠다는 당사의 의지를 보여준다. 이러한 혁신은 끊임없이 진화하는 시장에서 고객사들이 성공할 수 있도록 효율적이고 컴팩트하며 신뢰할 수 있는 솔루션을 제공하려는 당사의 지속적인 헌신에 기반을 두고 있다”라고 말했다.
 

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