로옴, GaN 파워 디바이스 개발 위해 델타 전자와 파트너십 체결
  • 2022-04-27
  • 신윤오 기자, yoshin@elec4.co.kr

로옴(ROHM) 주식회사와 전원 메이커인 델타 전자(Delta Electronics)는 차세대 반도체 GaN (질화 갈륨) 파워 디바이스의 개발 및 양산에 관한 전략적 파트너십을 체결했다.

이는 델타가 장기간 축적해온 전원 개발 기술과 로옴의 파워 디바이스 개발 및 제조 기술을 조합하여 폭넓은 전원 시스템에 최적인 600V 내압 GaN 파워 디바이스를 공동으로 개발하는 것이다.

로옴은 2022년 3월에 업계 최고인 8V까지 게이트 내압을 높인 「150V 내압 GaN HEMT」의 양산 체제를 확립했다. 기지국, 데이터 센터를 비롯한 산업기기 및 각종 IoT 통신 기기의 전원 회로용으로 「EcoGaN™」의 라인업 확충을 추진함과 동시에, 디바이스 성능의 향상을 위해 노력하고 있다.

로옴 주식회사 이사 상무 집행 임원 CSO Kazuhide Ino는 "로옴은 전원 관리 및 열 대책의 글로벌 리더인 델타와 GaN 파워 디바이스를 중심으로 하는 전략적 파트너십을 체결하게 된 것을 매우 기쁘게 생각합니다"라며, "탈탄소 사회의 실현을 위해 로옴의 주력 상품인 파워 반도체의 역할은 더욱 커지고 있습니다. 로옴은 Si에서 SiC (탄화 규소 / 실리콘 카바이드), GaN에 이르기까지 폭넓은 분야에서 최첨단 디바이스 개발을 추진함과 동시에, 그 성능을 최대화시키는 제어 IC의 개발 등 주변 부품을 조합한 솔루션 제공을 추진해 왔습니다"라고 말했다.

또한 이번 파트너십을 통해, 한차원 높은 고효율 전원 시스템 구축에 기여할 수 있는 GaN 파워 디바이스의 양산을 실현함과 동시에, 로옴의 우수한 아날로그 IC를 내장한 GaN IPM도 조기에 양산하여, 고객이 사용하기 편리한 제품의 라인업을 확충해 나갈 것이라고 밝혔다.

델타 전자 부회장 Mark Ko는 "글로벌 전자 업계에 있어서, GaN 파워 디바이스의 발전은 매우 큰 관심사입니다. 로옴과는 지금까지 수년에 걸쳐 교류해 왔습니다. 이번 기술 교류의 성과를 매우 기쁘게 생각하며, 이를 계기로 더 긴밀하게 연계해 나고가자 합니다"며, "델타에 있어서 앞으로 한층 더 라인업을 강화하기 위한 중요한 전력 비즈니스의 하나로서 이번 GaN 협업과 더불어, 로옴의 우수한 아날로그 기술 (Nano 기술) 등과의 제품 전개도 기대하고 있습니다. 로옴과의 협업 체제를 강화하여, 글로벌 전원 시장 니즈에 폭넓은 솔루션을 제공할 수 있을 것으로 생각합니다"라고 말했다.

또한, 그는 "탈탄소 사회의 실현을 위해, 전 세계 전력 소비량의 대부분을 차지하는 전원이나 모터의 효율 개선은 전 세계적인 사회 과제로서 중요시되고 있다. 그 효율 개선의 열쇠가 되는 것이 파워 디바이스이며, 각종 전원의 한차원 높은 고효율화를 위해, SiC나 GaN과 같은 신재료의 활용이 주목받고 있다. 로옴과 델타는 장기간에 걸쳐 기술 교류를 실시하고, 다양한 어플리케이션의 개발에서 협력 관계를 구축해 왔다"며, "이번 파트너십 체결을 통해, 향후 최첨단 GaN 파워 디바이스를 개발, 양산함과 동시에 GaN 디바이스 성능을 최대화시킴으로써, 전원 기술의 이노베이션을 가속화하여 지속 가능한 사회의 실현에 기여해 나갈 것이다"라고 전했다. 

 

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