ACM 리서치, 화합물 반도체용 웨비퍼 레벨 패키징 제품 발표
  • 2021-09-14
  • 신윤오 기자, yoshin@elec4.co.kr

ACM 리서치(ACM Research)는 실리콘카바이드(SiC) 질화갈륨(GaN) 및 갈륨비소(GaAs)를 지원할 수 있는 화합물 반도체용 웨비퍼 레벨 패키징 제품인 Ultra ECP GIII 전기도금 장비를 출시했다고 밝혔다.

이 웨이퍼 레벨 패키징 장비는 후면 딥 홀(Backside deep hole) 공정에서 개선된 균일성과 단차피복성(Step coverage)으로 금(Au)을 도금할 수 있다. 또한 6인치 플랫 에지(flat edge) 및 노치 웨이퍼(notch wafer)의 대용량 처리를 지원하는 완전 자동화 플랫폼을 갖추고 있으며, ACM에서 보유중인 2차 양극(second anode) 공급 장치 기술과 고속 그리드 기술(Paddle technology)을 결합하여 최고의 성능을 달성한다.





ACM 리서치의 데이비드 왕(David Wang) CEO는 “전기 자동차, 5G 통신, RF 및 AI 애플리케이션에 대한 강력한 수요로 화합물 반도체 시장이 급성장하고 있는데 반해, 현재 화합물 반도체 제조 공정의 자동화 수준은 제한적이며 대부분의 전기도금 공정은 균일성이 불량한 수직 전기도금 장비를 사용해 생산량도 제한을 받고 있다”고 지적하면서 “이번에 새로 개발한 Ultra ECP GIII 전기도금 장비는 이러한 문제들을 극복하면서 화합물 반도체의 용량과 고급 성능에 대한 점증하는 요구 사항을 충족한다”고 설명했다.

ACM의 Ultra ECP GIII 장비는 2차 양극 공급 장치와 고속 그리드 기술의 두 가지 핵심 기술을 활용하는데 2차 양극 공급장치는 전기장(Electrical field) 분포차이로 인해 발생하는 문제를 극복하기 위해 웨이퍼 레벨 패키징 기능을 효과적으로 조정함으로써 우수한 균일도 제어 능력을 제공한다.

또한 이 기술은 웨이퍼 에지 영역과 노치 영역의 패턴을 최적화하고 3% 이내의 도금 균일도를 달성하는 데 활용할 수 있다.

ACM의 고속 그리드 기술은 더욱 강력한 믹싱(Mixing) 효과를 얻을 수 있으며 대량 전송 능력을 향상시켜 딥 홀 공정에서 단차피복성을 개선시킬 수 있다. 또한, 개선된 단차피복성은 금(Au) 필름의 두께를 감소시켜 고객의 비용을 절감할 수 있다.

 

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