D2PAK-7 패키지의 프리미어 SiC MOSFET 출시
넥스페리아가 30mΩ, 40mΩ, 60mΩ 및 80mΩ R
DSon 값으로 제공되는 D
2PAK-7 표면 실장형 (SMD) 패키징의 1200V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET을 출시했다.
이 소자는 넥스페리아가 2023년 말에 3핀, 4핀 TO-247 패키지로 출시한 2개의 개별 SiC MOSFET에 이은 후속 제품이다. 이 MOSFET은 유연한 패키지 옵션에 17, 30, 40, 60 및 80mΩ의 R
DSon 값을 가진 소자들을 포함하도록 계속 출시할 SiC MOSFET 포트폴리오의 최신 제품이기도 하다.
이 제품은 또한 전기 자동차(EV) 충전(충전 파일, 오프보드 충전), 무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 태양광 및 에너지 저장 시스템(ESS)용 인버터 등 다양한 산업 응용 분야에서 점점 더 인기를 얻고 있는 D
2PAK-7 같은 SMD 패키지의 고성능 SiC 스위치에 대한 수요를 해결해준다.
이 제품의 개발 배경에는 넥스페리아와 미쯔비시 전기의 전략적 파트너십이 있다. 양사는 이 소자의 출시로 SiC 와이드 밴드갭 반도체의 에너지 효율성과 전기적 성능을 한 단계 끌어올리는 동시에 계속 증가하는 시장 수요에 대응하여 이 기술의 미래 경쟁력을 갖춘 생산 능력을 확보하는 데 성공했다.
R
DSon 은 전도 전력 손실에 영향을 미치기 때문에 SiC MOSFET의 중요한 성능 매개변수가 된다. 그러나 MOSFET를 제조하는 많은 제조업체들은 공칭 값에만 집중하다보니 소자의 작동 온도 상승에 따른 공칭 값의 100% 이상 증가로 인해 상당한 전도 손실이 발생할 수 있다는 사실을 무시하고 있다.
넥스페리아는 이 문제가 SiC 소자들의 성능을 제한하는 요소임을 확인하고 혁신적인 공정 기술 기능을 성공적으로 적용했다. 이번에 출시된 SiC MOSFET은 25°C에서 175°C의 작동 온도 범위에서도 R
DSon의 공칭 값이 단지 38%만 증가하는, 업계 최고의 온도 안정성을 제공한다.
가장 엄격한 임계 전압인 V
GS(th) 사양을 가진 이 개별 MOSFET 소자는 병렬로 연결될 경우 평형 전류 전달 성능을 제공한다. 또한 낮은 바디 다이오드 순방향 전압 (V
SD)은 소자의 견고성과 효율성을 높이는 동시에 프리휠링 작동 중의 데드 타임 요구 사항을 완화하는 파라미터로 작용한다.
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